公开(公告)号：CN112216676B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010654125.1

申请日：2020-07-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小堀勉 ,  冈部宽 ,  吉田茂 ,  柳原真悟 ,  高桥佳史

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明提供一种对于频率变动不易产生阻抗匹配状态的偏离的半导体装置。在基板设置有接地用焊盘。在基板的表面上的第1方向上并列地配置有发射极接地的多个晶体管。在基板设置有连接多个晶体管的基极的输入布线。至少两个并联电感器的一端与输入布线连接，另一端与接地用焊盘连接。关于第1方向，两个并联电感器以配置了多个晶体管的区域的中心为基准，配置在相互相反侧。

公开(公告)号：CN112216676A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010654125.1

申请日：2020-07-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小堀勉 ,  冈部宽 ,  吉田茂 ,  柳原真悟 ,  高桥佳史

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明提供一种对于频率变动不易产生阻抗匹配状态的偏离的半导体装置。在基板设置有接地用焊盘。在基板的表面上的第1方向上并列地配置有发射极接地的多个晶体管。在基板设置有连接多个晶体管的基极的输入布线。至少两个并联电感器的一端与输入布线连接，另一端与接地用焊盘连接。关于第1方向，两个并联电感器以配置了多个晶体管的区域的中心为基准，配置在相互相反侧。

公开(公告)号：CN215300587U

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202120826610.2

申请日：2021-04-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小堀勉 ,  柳原真悟 ,  高桥佳史 ,  冈部宽

IPC: H03F3/20

Abstract: 提供一种功率放大装置，能够实现良好的散热性并实现特性的提高。功率放大装置具有：半导体基板；多个第一晶体管，其设置于半导体基板，被输入高频信号；多个第二晶体管，其设置于半导体基板，与多个第一晶体管分别电连接，输出将高频信号放大后的高频输出信号；多个第一突起，其与多个第一晶体管分别重叠设置；以及第二突起，其与多个第一突起分开设置，且与多个第一晶体管及多个第二晶体管不重叠地设置，在从与半导体基板的表面垂直的方向的俯视下，按照第一晶体管及第一突起、第二晶体管、第二突起、第二晶体管、第一晶体管及第一突起的顺序排列。