磁传感器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111433620B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN201880078121.4

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 第一磁性体构件(40)位于比第一磁阻元件的外周缘靠内侧的区域。第二磁阻元件位于比第一磁阻元件的内周缘靠内侧的区域且被第一磁性体构件(40)覆盖,或者位于比第一磁阻元件的外周缘靠外侧的区域且被第二磁性体构件覆盖。第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。在第一导电体部(60)中,第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。

    磁传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111448470A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201880078092.1

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。由与第一导电体部(60)不同的材料构成的构件(80)在从与绝缘层正交的方向观察时设置在被第一狭小部(62)的外形与第一基部(61)的外形包围的区域。

    磁传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111433620A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201880078121.4

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 第一磁性体构件(40)位于比第一磁阻元件的外周缘靠内侧的区域。第二磁阻元件位于比第一磁阻元件的内周缘靠内侧的区域且被第一磁性体构件(40)覆盖,或者位于比第一磁阻元件的外周缘靠外侧的区域且被第二磁性体构件覆盖。第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。在第一导电体部(60)中,第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。

    磁传感器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111448470B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN201880078092.1

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。由与第一导电体部(60)不同的材料构成的构件(80)在从与绝缘层正交的方向观察时设置在被第一狭小部(62)的外形与第一基部(61)的外形包围的区域。

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