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    过渡电压保护装置
    1.
    实用新型
    过渡电压保护装置 有权

    公开(公告)号：CN211743125U

    公开(公告)日：2020-10-23

    申请号：CN201990000161.7

    申请日：2019-04-02

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 坂井宣夫

    IPC: H01L21/822

    Abstract: 本实用新型提供了过渡电压保护装置。过渡电压保护装置(101A、101B)具备：一个共用端子(Pc)、多个输入输出端子(P1、P2)、以及第1端(T1)与共用端子(Pc)直接地或者间接地连接的过渡电压抑制元件(10)，在过渡电压抑制元件(10)的第2端(T2)与多个输入输出端子(P1、P2)之间连接逆流防止电路(11、12)，该逆流防止电路的击穿电压比过渡电压抑制元件(10)的击穿电压高，将过渡电压抑制元件(10)的击穿电流流动的方向设为正向。通过该结构，对于过渡电压保护装置的多个端子，针对过渡电压适当地进行保护。

    带有ESD保护功能的电感器
    2.
    实用新型
    带有ESD保护功能的电感器 有权

    公开(公告)号：CN208143194U

    公开(公告)日：2018-11-23

    申请号：CN201790000576.5

    申请日：2017-06-22

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 坂井宣夫

    IPC: H03H7/01 ,  H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01F27/29 ,  H01L21/329 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/866

    CPC classification number: H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01F27/29 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/866 ,  H03H7/01

    Abstract: 本实用新型涉及一种带有ESD保护功能的电感器，该带有ESD保护功能的电感器(101)具备LGA型贴片电感器(1)和二极管芯片(2)。LGA型贴片电感器(1)具有：具有作为安装面的第一主面(VS1)的基材(10)；形成于基材的线圈；与线圈连接的第一输入输出电极(P1)和第二输入输出电极(P2)；接地电极(GP)；与线圈连接的第一连接电极(CP1)；与接地电极连接的第二连接电极(CP2)。第一输入输出电极(P1)、第二输入输出电极(P2)以及地线电极形成于第一主面。二极管芯片(2)搭载于LGA型贴片电感器，LGA型贴片电感器的第一连接电极和第二连接电极分别与作为ESD保护元件发挥功能的二极管连接。

    可变电容器
    3.
    实用新型
    可变电容器 失效

    公开(公告)号：CN206134667U

    公开(公告)日：2017-04-26

    申请号：CN201590000259.4

    申请日：2015-03-17

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 中矶俊幸 ,  坂井宣夫

    IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

    CPC classification number: H01L27/0248 ,  B81B7/0022 ,  B81B2201/0221 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/55 ,  H01L29/93

    Abstract: 本实用新型涉及可变电容器，该可变电容器具有：半导体基板(10)、设置在该半导体基板(10)的主面上的再布线层(50)、以及设置于再布线层(50)的安装面上且包括第一输入输出端子(P1)、第二输入输出端子(P2)、接地端子(GND)及控制电压施加端子的多个端子电极(PE)，在再布线层(50)形成有由分别与第一输入输出端子(P1)及第二输入输出端子(P2)连接的一对电容器电极、以及配置于一对电容器电极间的铁电体薄膜所构成的铁电体薄膜型的可变电容元件部(VC)，在半导体基板(10)的主面形成有连接于第一输入输出端子(P1)或第二输入输出端子(P2)与接地端子(GND)之间的ESD保护元件(ESDP1、ESDP2)。

    薄膜ESD保护器件
    4.
    实用新型
    薄膜ESD保护器件 有权

    公开(公告)号：CN209266387U

    公开(公告)日：2019-08-16

    申请号：CN201890000246.0

    申请日：2018-02-06

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 深堀奏子 ,  坂井宣夫

    IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

    Abstract: 薄膜ESD保护器件(101)具备：至少在第一主面(PS1)侧具有低电阻部的半导体基板(21)；形成在半导体基板(21)的第一主面(PS1)的绝缘体层(TL)；形成在绝缘体层(TL)的表面的第一输入输出电极(P1)、第二输入输出电极(P2)以及接地电极(GP)；形成在第一主面(PS1)侧的二极管元件(D1)；以及形成在第一主面(PS1)侧的电容器元件(C1)。二极管元件(D1)的第一端与第一输入输出电极(P1)连接，第二端与接地电极(GP)连接。电容器元件(C1)的第三端与第二输入输出电极(P2)连接，第四端与接地电极(GP)连接。二极管元件(D1)的第二端以及电容器元件(C1)的第四端经由低电阻部(半导体基板(21))与接地电极(GP)连接。

    ESD保护装置
    5.
    实用新型
    ESD保护装置 有权

    公开(公告)号：CN207624696U

    公开(公告)日：2018-07-17

    申请号：CN201721674156.3

    申请日：2017-12-05

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 坂井宣夫

    IPC: H01L27/02

    Abstract: 本实用新型涉及ESD保护装置，降低二极管型的ESD保护装置的导通时的电阻。ESD保护装置(10)具备半导体基板(20)、ESD保护电路部(345)、以及非接地导体(90)。ESD保护电路部(345)形成于半导体基板(20)的第一主面侧，包括二极管D1、D2。二极管D1和二极管D2由沿着ESD保护电路部(345)的厚度方向形成的PN结实现，经由半导体基板(20)连接。非接地导体(90)形成于半导体基板(20)的第二主面。非接地导体(90)在半导体基板(20)的俯视时包括二极管D1以及二极管D2之间的区域的至少一部分，且与二极管D1或者二极管D2的至少一部分重叠。

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