公开(公告)号：CN116711112A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090123.7

申请日：2021-03-31

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 笹子佳孝 ,  佐久间宪之 ,  横山夏树 ,  藤崎耕司 ,  三濑信行 ,  杉本有俊

IPC: H01M8/12

Abstract: 本发明的目的在于，抑制在形成薄膜固体电解质层时在基底存在的异物所导致的输出电力的降低，提高使燃料电池单元的面积增加的情况下的成品率，降低燃料电池的成本。本发明的燃料电池单元在支撑基板上形成有由下部电极层、第一固体电解质层、第二固体电解质层以及上部电极层构成的膜电极接合体，第一固体电解质层与第二固体电解质层之间的界面比下部电极层与固体电解质层之间的界面平坦，第二固体电解质层具有即使在产生了上述燃料电池单元的输出电压时上述第一固体电解质层与上述第二固体电解质层之间的漏电流也小于允许值的程度的膜厚(参照图5)。

公开(公告)号：CN119452456A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380018608.4

申请日：2023-06-01

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 王赫 ,  藤崎耕司 ,  大隈一畅 ,  桑原谦一

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的目的在于，提供能除去自然氧化膜来高精度地进行硅的蚀刻的技术。本发明的晶片处理方法之一是将在上表面形成有硅制的膜的半导体晶片配置于处理室内来对所述硅制的膜进行处理的晶片处理方法，具备如下工序：对形成于该硅制的膜的表面的氧化膜供给氢、氮以及氟的气体的粒子来形成第1改性层；第1脱离工序，加热所述第1改性层来使其脱离；在所述第1脱离工序之后，对所述硅制的膜供给氯的气体的粒子来形成第2改性层；第2脱离工序，加热所述第2改性层来使其脱离。