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公开(公告)号：CN114981932A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080054480.3
申请日：2020-12-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明所涉及的等离子处理装置具备：对样品进行等离子处理的处理室；供给用于生成等离子的高频电力的高频电源；和载置样品的样品台。等离子处理装置进一步具备控制装置，其使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来测量在样品的所期望的材料上选择性地形成的保护膜的厚度，或者使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来判断保护膜的选择性。
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公开(公告)号：CN116997995A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280005982.6
申请日：2022-03-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法，仅在图案内的所希望的材料上形成用于抑制蚀刻的保护膜，对图案进行蚀刻处理。对成膜于试样的被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法具有：清洁化工序，对所述试样的表面进行清洁化；保护膜形成工序，在形成于所述被蚀刻膜的图案对所希望的材料选择性地形成保护膜；氧化工序，在所述保护膜形成工序之后，使所述保护膜氧化；以及蚀刻工序，对所述被蚀刻膜进行等离子蚀刻。
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公开(公告)号：CN110326089B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880002792.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在重复进行沉积工序和蚀刻工序的循环蚀刻中，高精度地控制图案上的沉积膜厚来长时间稳定地蚀刻成所期望的形状。具备：沉积工序(S1)，将具有堆积性的反应性气体导入处理室，在被蚀刻基板的被蚀刻图案的表面形成堆积层；蚀刻工序(S2)，将堆积层与被蚀刻图案表面的反应生成物除去；和工序(S3)，在交替实施两个工序来加工微细图案的循环蚀刻的、形成堆积层的沉积工序时，将光照射到被蚀刻图案，根据由被蚀刻图案反射的特定波长的干涉光的变化来监视堆积层的膜厚的变化量，决定形成循环蚀刻的下一次循环以后的堆积层的工序的处理条件，以使得根据监视到的堆积层的膜厚的变化量算出的沉积膜厚的指标与参考数据比较收入给定的范围内。
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公开(公告)号：CN111801773A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980001243.8
申请日：2019-02-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 根据使用了等离子体的干蚀刻方法，在对有机膜进行蚀刻时，交替地重复进行将Ar离子遮挡而向试料的有机膜仅照射氧自由基的第一工序、以及向有机膜照射稀有气体的离子的第二工序，由此能够抑制有机膜的蚀刻的偏差从而进行精度良好的蚀刻处理。由此，能够抑制形成于硅基板等的LS图案的倒塌。
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公开(公告)号：CN117597766A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280008134.0
申请日：2022-06-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供如下的等离子处理方法的技术：其是简单的工艺，且在抑制图案表面的杂质污染的同时实施侧壁保护膜的形成和除去工序，能抑制弯曲形成等而将钌图案加工成所期望的截面形状。在通过等离子对钌膜进行蚀刻的等离子处理方法中，具有：第一工序，通过使用氧气与卤素气体的混合气体生成的等离子来对所述钌膜进行蚀刻；第二工序，在所述第一工序后，利用通过使用卤素气体生成的等离子而生成的自由基来在所蚀刻的钌膜的侧壁形成钌化合物；第三工序，在所述第二工序后，通过使用氧气与卤素气体的混合气体生成的等离子来对钌膜进行蚀刻；和第四工序，在所述第三工序后，利用通过使用氧气与卤素气体的混合气体生成的等离子而生成的氧自由基以及卤素自由基来对所蚀刻的钌膜的侧壁进行蚀刻。直到所蚀刻的钌膜的深度成为给定的深度为止重复所述第二工序到所述第四工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113544823A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080004046.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供能使被蚀刻件相对于掩模件的蚀刻选择比提升且能减低掩模图案侧壁的粗糙度的等离子处理方法。对于被蚀刻件使沉积膜选择性地沉积在掩模件的等离子处理方法控制蚀刻参数，使得所述掩模件的培育时间比所述被蚀刻件的培育时间短。
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公开(公告)号：CN111801775A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980005139.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 在对成膜于试料的被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法中，具有：保护膜形成工序，在形成于试料的图案的上部选择性地形成保护膜，调整所形成的保护膜的宽度以使得该形成的保护膜的宽度的试料的面内的分布成为所希望的分布；和在保护膜形成工序后，对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN118830062A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380012996.5
申请日：2023-02-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在含钼膜或含钌膜的等离子体蚀刻中，提供垂直的图案。等离子体处理方法在利用使用氧气与卤素气体生成的等离子体向钼或钌膜照射而形成图案的第一工序之后，将第二工序至第四工序反复进行直到规定的深度，第二工序利用使用包含碳的气体的等离子体在图案侧壁形成包含碳的保护膜，第三工序利用使用氧气生成的等离子体将图案底部的保护膜选择性地除去并且将图案底部的钼或钌膜氧化，第四工序利用使用卤素气体生成的等离子体对所述氧化了的钼或钌进行蚀刻。等离子体处理方法还包括利用包含氢的等离子体将在图案侧壁形成的包含碳的保护膜以及变质层除去的第五工序。
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公开(公告)号：CN113544823B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080004046.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供能使被蚀刻件相对于掩模件的蚀刻选择比提升且能减低掩模图案侧壁的粗糙度的等离子处理方法。对于被蚀刻件使沉积膜选择性地沉积在掩模件的等离子处理方法控制蚀刻参数，使得所述掩模件的培育时间比所述被蚀刻件的培育时间短。
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公开(公告)号：CN117836912A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280019021.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制晶片处理中的晶片的位置偏移的晶片处理方法。本发明的晶片处理方法在具备具有能够对晶片进行静电吸附的电极的试样台的处理装置中，包含：无晶片的除电工序，不在所述试样台载置晶片而将所述试样台所带电的电荷除去；和晶片处理工序，在所述无晶片的除电工序之后，对载置于所述试样台的晶片进行静电吸附，并对所述晶片实施处理。所述无晶片的除电工序包含：等离子体生成工序，利用第1除电用气体产生等离子体；和供电工序，向所述试样台的所述电极供给第1电力。
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