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发明公开
晶片处理方法以及晶片处理系统审中-实审

公开(公告)号：CN119452456A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380018608.4

申请日：2023-06-01

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 王赫 , 藤崎耕司 , 大隈一畅 , 桑原谦一

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的目的在于，提供能除去自然氧化膜来高精度地进行硅的蚀刻的技术。本发明的晶片处理方法之一是将在上表面形成有硅制的膜的半导体晶片配置于处理室内来对所述硅制的膜进行处理的晶片处理方法，具备如下工序：对形成于该硅制的膜的表面的氧化膜供给氢、氮以及氟的气体的粒子来形成第1改性层；第1脱离工序，加热所述第1改性层来使其脱离；在所述第1脱离工序之后，对所述硅制的膜供给氯的气体的粒子来形成第2改性层；第2脱离工序，加热所述第2改性层来使其脱离。

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