公开(公告)号：CN103572262A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310323455.2

申请日：2013-07-25

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 峰利之 ,  藤森正成 ,  松崎永二

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种容易进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造方法和制造装置。在光CVD膜的制造方法中，包括：工序(a)，向形成光CVD膜的反应室导入光CVD膜的原料气体，使反应室达到规定压力；工序(b)，在工序(a)之后，停止原料气体向反应室的导入以及原料气体从反应室的排气，向反应室照射光；以及工序(c)，在工序(b)之后，停止照射，然后对反应室进行排气，将工序(a)～工序(c)反复多次。

公开(公告)号：CN102738408A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210097436.8

申请日：2012-03-30

Applicant: 株式会社日立高新技术 ,  株式会社日立国际电气

Inventor： 峰利之 ,  藤森正成 ,  大桥直史

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5256

Abstract: 本发明提供一种在具有有机EL元件的设备中不使来自有机EL层的光提取效率恶化而阻水性和平坦化性高的密封膜及其制造方法。在具有从基板的主面侧起依次形成的阳极电极(103)、有机EL层(105)以及阴极电极(106)以及设置于基板上以覆盖该发光层的密封膜的设备中，密封膜包含交替地层叠作为平坦化膜的缓冲膜(108、110、112)以及阻水性高的缓冲膜(109、111)而成的层叠膜，平坦化膜以及阻挡膜包含氮氧化硅膜。另外，在设备的制造工序中，通过使用了真空紫外线的光CVD法来形成包含氮氧化硅的缓冲膜(108)，在该工序中在真空紫外线的照射过程中通过远程等离子体进行自由基照射(radical irradiation)。

公开(公告)号：CN103088317A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210445200.9

申请日：2012-11-08

Applicant: 株式会社日立高新技术 ,  株式会社日立国际电气

Inventor： 藤森正成 ,  峰利之 ,  大桥直史

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/48

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。光CVD装置(成膜装置)(1)通过对原料气体照射光而生成晶种，并通过使晶种在基板(2)上堆积而使膜成长，并且在光源(13)和保持基板(2)的样品台(基板保持部)(14)之间配置遮光板(遮光构件)(20)。遮光板(20)具有：与基板(2)的成膜面(2a)相对的背面(20a)、位于背面(20a)相反侧的表面(20b)、以及从背面(20a)及表面(20b)中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔(21)。此外，遮光板(20)的背面(20a)和基板(2)的成膜面(2a)的距离(C1)在原料气体的气体分子的平均自由行程以下。根据本发明，能够防止或抑制作为成膜对象物的基板的劣化。