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公开(公告)号：CN87104843A
公开(公告)日：1988-01-27
申请号：CN87104843
申请日：1987-07-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J29/45
CPC classification number: H01J29/456 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN85105902A
公开(公告)日：1987-05-06
申请号：CN85105902
申请日：1985-08-03
Abstract: 在电视摄象机中应用的一种摄象管装置，包括 一个电子枪，在该电子枪中包括：一个阴极，用于发 射电子束；第一和第二栅极，每个都具有控制电子束 直径的孔径，第二栅极的孔径比第一栅极的小得多。 给第一栅极加一个相对于阴极的正电压，而给第二 栅极所加的相对于阴极的正电压高于对第一栅极所 加电压。对第一栅极所加正电压的数值要使通过第 一栅极孔径的电子束形成层流束。当物体的亮度增 加时，把加在第一栅极上的正电压减小，以增加通过 第二栅极孔径的电子束量。
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公开(公告)号：CN1015846B
公开(公告)日：1992-03-11
申请号：CN85105902
申请日：1985-08-03
Abstract: 在电视摄象机中应用的一种摄象管装置，包括一个电子枪，在该电子枪中包括：一个阴极，用于发射电子束；第一和第二栅极，每个都具有控制电子束直径的孔径，第二栅极的孔径比第一栅极的小得多。给第一栅极加一个相对于阴极的正电压，而给第二栅极所加的相对于阴极的正电压高于对第一栅极所加电压。对第一栅极所加正电压的数值要使通过第一栅极孔径的电子束形成层流束。当物体的亮度增加时，把加在第一栅极上的正电压减小，以增加通过第二栅极孔径的电子束量。
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公开(公告)号：CN1004732B
公开(公告)日：1989-07-05
申请号：CN87104843
申请日：1987-07-11
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/456 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
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公开(公告)号：CN85104072B
公开(公告)日：1988-02-24
申请号：CN85104072
申请日：1985-05-28
Abstract: 本发明披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构。此类光电导膜主要由Ｓｅ制成并在其中央部分掺杂Ｔｅ而形成。除此，将据认为可以形成俘获Ｓｅ中电子的深陷阱能级之Ａｓ；以及通过俘获Ｓｅ中的电子形成负空间电荷的ＧａＦ3等可添加到存在有Ｔｅ的区域。另外，于存在有ＧａＦ3等的区域中选定了较以往所用的为薄的膜层厚度（不小于２０埃且不大于９０埃）。
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公开(公告)号：CN85104072A
公开(公告)日：1986-11-26
申请号：CN85104072
申请日：1985-05-28
Abstract: 本发明披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构。此类光电导膜主要由Se制成并在其中央部分掺杂Te而形成。除此，将据认为可以形成俘获Se中电子的深陷阱能级之As，以及通过俘获Se中的电子形成负空间电荷的GaF8等可添加到存在有Te的区域。另外，于存在有GaF8等的区域中选定了较以往所用的为薄的膜层厚度(不小于20埃且不大于90埃)。
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