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公开(公告)号：CN85104072A
公开(公告)日：1986-11-26
申请号：CN85104072
申请日：1985-05-28
Abstract: 本发明披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构。此类光电导膜主要由Se制成并在其中央部分掺杂Te而形成。除此，将据认为可以形成俘获Se中电子的深陷阱能级之As，以及通过俘获Se中的电子形成负空间电荷的GaF8等可添加到存在有Te的区域。另外，于存在有GaF8等的区域中选定了较以往所用的为薄的膜层厚度(不小于20埃且不大于90埃)。
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