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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN87104843A
公开(公告)日：1988-01-27
申请号：CN87104843
申请日：1987-07-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J29/45
CPC classification number: H01J29/456 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
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公开(公告)号：CN1083614C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN95118438.5
申请日：1995-09-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J9/263 , H01J29/925
Abstract: 一种阴极射线管，具有真空壳体，它包括：支撑其内表面上的荧光膜的屏，容纳电子枪的颈，连接所述屏和所述颈的漏斗，密封所述颈的开口端的管座，并通过穿过所述管座的一组管脚固定所述电子枪。在由管座密封的开口端及其附近的内径朝向由管座密封的开口端逐渐变大或保持至少基本上等于颈的主要部分的内径的值。
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公开(公告)号：CN1004732B
公开(公告)日：1989-07-05
申请号：CN87104843
申请日：1987-07-11
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/456 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
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公开(公告)号：CN1290024A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00126231.9
申请日：1995-09-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J9/263 , H01J29/925
Abstract: 一种阴极射线管,具有真空壳体,它包括:支撑其内表面上的荧光膜的屏,容纳电子枪的颈,连接所述屏和所述颈的漏斗,密封所述颈的开口端的管座,并通过穿过所述管座的一组管脚固定所述电子枪。在由管座密封的开口端及其附近的内径朝向由管座密封的开口端逐渐变大或保持至少基本上等于颈的主要部分的内径的值。
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公开(公告)号：CN1126883A
公开(公告)日：1996-07-17
申请号：CN95118438.5
申请日：1995-09-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J9/263 , H01J29/925
Abstract: 一种阴极射线管，具有真空壳体，它包括：支撑其内表面上的荧光膜的屏，容纳电子枪的颈，连接所述屏和所述颈的漏斗，密封所述颈的开口端的管座，并通过穿过所述管座的一组管脚固定所述电子枪。在由管座密封的开口端及其附近的内径朝向由管座密封的开口端逐渐变大或保持至少基本上等于颈的主要部分的内径的值。
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