公开(公告)号：CN1215912A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98108077.4

申请日：1998-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 增田俊夫 ,  三谷克彦 ,  加治哲德 ,  田中润一 ,  渡边克哉 ,  白米茂 ,  大坪徹 ,  佐佐木一郎 ,  福本英士 ,  小泉真

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32678

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,具有磁场形成装置,通过磁场来控制电子共振,以控制等离子体状态和腐蚀气体的离解状态,由此,即使对于大口径的晶片,也能够同时兼顾处理速度和细微加工性、选择比和均匀性。在真空处理室内的一对电极间施加20MHz至300MHz的高频功率,通过磁场形成装置而在电极间形成与电极表面平行的磁场。而且,通过在100高斯以下的范围中控制磁场强度,通过电极包层部中的电场和磁场的相互作用来控制电子回旋加速器共振、电子包层共振的生成。

公开(公告)号：CN1164122A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97103106.1

申请日：1997-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加治哲德 ,  渡边克哉 ,  三谷克彦 ,  大坪彻 ,  田地新一 ,  田中润一

IPC: H01J37/305 ,  C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

Abstract: 在大直径试样进行微细图形精密加工，提高微细加工时选择比的等离子处理装置及等离子处理方法。在具有真空处理室，试样台，以及等离子生成装置的等离子处理装置中，还有在一对电极之间的50至200MHZVHF电源的高频电源，以及产生10高斯以上110高斯以下的静磁场或低频磁场的磁场形成装置。为使磁场沿下电极方向成分的最大部分位于上部电极面上或者偏向上部电极一侧，适当设定上述磁场形成装置，在上述一对电极间，形成电子回旋加速共振区。