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公开(公告)号：CN113710939A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080029645.1
申请日：2020-04-06
Applicant: 株式会社富士金
Inventor： 近藤研太 , 稻田敏之 , 中田知宏 , 渡边一诚 , 中田朋贵
IPC: F16K7/12
Abstract: 本发明提供一种能够适当控制在半导体的制造中进入到工艺腔室内的尘粒的尺寸的技术。隔膜(30)具备：金属制的薄板(31)、以及在薄板(31)的一侧的面(接液面(31A))的整体上形成的薄膜层(32)。薄膜层(32)的表面粗糙度的最大高度Rmax比0.1μm小。
