半导体装置制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112970108A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN201980070330.9

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本发明的目的在于在经过制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中,提供在抑制晶片层叠体的翘曲的同时效率良好地制造半导体装置的方法。本发明的半导体装置制造方法至少包括准备工序、薄化工序、以及接合工序。在准备工序中,准备多个第1晶片层叠体。各第1晶片层叠体具有层叠结构,所述层叠结构包含分别具有元件形成面和与其相反的背面的第1晶片及第2晶片,且该第1及第2晶片的元件形成面侧彼此接合。在薄化工序中,将第1晶片层叠体的第1晶片薄化而形成具有该薄化第1晶片的第1晶片层叠体。在接合工序中,将经过薄化工序后的两个第1晶片层叠体的薄化第1晶片侧彼此接合,形成第2晶片层叠体。

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