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公开(公告)号：CN107709400A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035277.5
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明提供一种固化性组合物，其可以形成成膜性优异、在低温下进行固化、耐热性、耐开裂性、对被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。本发明的固化性组合物为含有聚有机倍半硅氧烷(A)的固化性组合物，其中，聚有机倍半硅氧烷(A)含有重均分子量为3000以上的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a-1)和重均分子量为2500以下的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a-2)，所述(a-1)和(a-2)的合计含量为聚有机倍半硅氧烷(A)总量的50重量％以上，且所述(a-1)和(a-2)的含量之比(重量比：前者/后者)为10/90～70/30。
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公开(公告)号：CN110651016B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880032558.4
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C09J183/07 , B32B27/00 , C08G77/20 , C09J5/06 , C09J11/06
Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，其可以在低温下固化而形成绝缘性、耐热性和粘接性优异的固化物。本发明的粘接剂组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，其中，下述式(1)[R1SiO3/2](式(1)中，R1表示包含自由基聚合性基团的基团)表示的结构单元和下述式(2)[R1SiO2/2(OR2)](式(2)中，R1同上，R2表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基)表示的结构单元相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)的比例为55～100摩尔％，该聚有机倍半硅氧烷(A)的数均分子量为1500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。
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公开(公告)号：CN110637074A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032311.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C09J183/04 , B32B27/00 , C08G59/32 , C08G77/14 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J163/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘接剂用固化性组合物，其能够在低温下固化而形成具有优异的耐热性、抗裂性、对被粘接体的粘接性和密合性的固化物。本发明提供的粘接剂用固化性组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，在所述聚有机倍半硅氧烷(A)中，下述式(I)表示的结构单元与下述式(II)表示的结构单元的摩尔比[式(I)表示的结构单元/式(II)表示的结构单元]为20以上且500以下，相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)，下述式(1)表示的结构单元和下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％，数均分子量为2500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。[R1SiO3/2](1)；[RaSiO3/2](I)；[RbSiO2/2(ORc)](II)；[R1SiO2/2(ORc)](4)。
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公开(公告)号：CN110650987A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880030753.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明提供可形成绝缘性及耐热性优异、可抑制翘曲的发生、密合性优异的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物包含含有硅氧烷结构单元的聚有机倍半硅氧烷作为聚合性化合物，在所述聚有机倍半硅氧烷中，下述式(I)：[RaSiO3/2]表示的结构单元与下述式(II)：[RaSiO2/2(ORb)]表示的结构单元的合计为硅氧烷结构单元总量的55摩尔％以上，该聚有机倍半硅氧烷的数均分子量为500～10000，环氧当量为200～2000g/eq。
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公开(公告)号：CN112970108A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980070330.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的目的在于在经过制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，提供在抑制晶片层叠体的翘曲的同时效率良好地制造半导体装置的方法。本发明的半导体装置制造方法至少包括准备工序、薄化工序、以及接合工序。在准备工序中，准备多个第1晶片层叠体。各第1晶片层叠体具有层叠结构，所述层叠结构包含分别具有元件形成面和与其相反的背面的第1晶片及第2晶片，且该第1及第2晶片的元件形成面侧彼此接合。在薄化工序中，将第1晶片层叠体的第1晶片薄化而形成具有该薄化第1晶片的第1晶片层叠体。在接合工序中，将经过薄化工序后的两个第1晶片层叠体的薄化第1晶片侧彼此接合，形成第2晶片层叠体。
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公开(公告)号：CN110637074B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201880032311.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C08G77/14 , C09J183/04 , B32B27/00 , C08G59/32 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J163/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘接剂用固化性组合物，其能够在低温下固化而形成具有优异的耐热性、抗裂性、对被粘接体的粘接性和密合性的固化物。本发明提供的粘接剂用固化性组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，在所述聚有机倍半硅氧烷(A)中，下述式(I)表示的结构单元与下述式(II)表示的结构单元的摩尔比[式(I)表示的结构单元/式(II)表示的结构单元]为20以上且500以下，相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)，下述式(1)表示的结构单元和下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％，数均分子量为2500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。[R1SiO3/2](1)[RaSiO3/2](I)[RbSiO2/2(ORc)](II)[R1SiO2/2(ORc)](4)。
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公开(公告)号：CN107709400B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201680035277.5
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明提供一种固化性组合物，其可以形成成膜性优异、在低温下进行固化、耐热性、耐开裂性、对被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。本发明的固化性组合物为含有聚有机倍半硅氧烷(A)的固化性组合物，其中，聚有机倍半硅氧烷(A)含有重均分子量为3000以上的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a‑1)和重均分子量为2500以下的含环氧基的聚有机倍半硅氧烷(a‑2)，所述(a‑1)和(a‑2)的合计含量为聚有机倍半硅氧烷(A)总量的50重量％以上，且所述(a‑1)和(a‑2)的含量之比(重量比：前者/后者)为10/90～70/30。
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公开(公告)号：CN107683299B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201680035123.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C08G59/20 , B32B27/00 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J183/04
Abstract: 提供一种固化性组合物，其可以通过进行固化而形成相对于被粘接体的粘接性及密合性优异的固化物。一种固化性组合物，其含有下述式(X)表示的化合物(A)或聚合稳定剂(B)，并含有聚有机倍半硅氧烷，(X)[r1：4～20的整数。L：含有环氧基、氧杂环丁烷基或乙烯基醚基的基团。R11、R12：任选具有取代基的烃基。s1：1～3的整数。t1：0～2的整数(s1+t1＝3)。R13、R14：氢原子或任选具有取代基的烃基]、所述聚有机倍半硅氧烷为数均分子量1000～3000、分子量分散度1.0～3.0，具有下述式(1)表示的结构单元、下述式(I)表示的结构单元和下述式(II)表示的结构单元的比例为5以上，相对于硅氧烷结构单元的总量，下述式(1)表示的结构单元及下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％。[R1SiO3/2](1)[RaSiO3/2](I)[RbSiO2/2(ORc)](II)[R1SiO2/2(ORc)](4)[R1：含有环氧基的基团。Ra、Rb：含有环氧基的基团、取代或无取代的芳基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的环烷基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烯基、或者氢原子。Rc：氢原子或碳原子数1～4的烷基。]
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公开(公告)号：CN110651016A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880032558.4
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C09J183/07 , B32B27/00 , C08G77/20 , C09J5/06 , C09J11/06
Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，其可以在低温下固化而形成绝缘性、耐热性和粘接性优异的固化物。本发明的粘接剂组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，其中，下述式(1)[R1SiO3/2](式(1)中，R1表示包含自由基聚合性基团的基团)表示的结构单元和下述式(2)[R1SiO2/2(OR2)](式(2)中，R1同上，R2表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基)表示的结构单元相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)的比例为55～100摩尔％，该聚有机倍半硅氧烷(A)的数均分子量为1500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。
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