公开(公告)号：CN116569022A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080365.8

申请日：2021-11-22

Applicant: 株式会社堀场STEC ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 坂口有平 ,  南雅和 ,  渋谷享司 ,  高桥基延

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，其导入有材料气体或副生成气体；激光光源，其向气体池照射经波长调制的激光；光检测器，其检测透过气体池的激光；以及信号处理部，其使用由光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出卤化物的浓度或分压，气体池减压至比大气压小的预定的压力，激光光源在包含卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。

公开(公告)号：CN117222882A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280028751.7

申请日：2022-03-16

Applicant: 株式会社堀场STEC

Inventor： 高桥基延 ,  赤松武 ,  中根正博 ,  原健児 ,  渋谷享司

IPC: G01N21/3504

Abstract: 为了提供一种使激光光源和/或光检测器与气室分离而防止其暴露于高温，并且较以往更实用的气体分析装置，该气体分析装置具备：气室10；激光光源20或光检测器30，其与气室10分离配置；以及激光传输机构50，其设置于气室10与激光光源20或气室10与光检测器30之间，激光传输机构50具有一根或多根管部件51，在这些管部件51的内部空间形成有激光的光路L。