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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103270818B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180062324.2
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: H05K1/0245 , B29C37/0075 , B29C43/18 , B29C43/203 , H05K1/0237 , H05K1/0242 , H05K1/0296 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/281 , H05K2201/0129 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , Y10T156/10
Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。
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公开(公告)号：CN105934104A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610257650.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: H05K1/0245 , B29C37/0075 , B29C43/18 , B29C43/203 , H05K1/0237 , H05K1/0242 , H05K1/0296 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/281 , H05K2201/0129 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , Y10T156/10
Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。
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公开(公告)号：CN105934104B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610257650.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社可乐丽
Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。
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公开(公告)号：CN104220236A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380017961.7
申请日：2013-03-08
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: B29C35/02 , B29C55/005 , B29C55/12 , B29C55/143 , B29D7/01 , B29K2101/00 , B29K2105/0079 , B29L2007/00 , C08J5/18 , C08J2300/20 , C08J2300/22 , C08J2367/04 , C09K19/3809 , C09K2219/03
Abstract: 本发明提供热塑性液晶聚合物薄膜及其制造方法。上述制造方法具备：准备工序，准备在MD方向及TD方向均具有3.25以下的介电常数的热塑性液晶聚合物薄膜；以及拉伸工序，在比薄膜的热变形温度(Td)低60℃的温度(Td-60℃)至比Td低5℃的温度(Td-5℃)的范围内对上述薄膜进行加热并拉伸。例如，拉伸工序中的加热温度可以为比所拉伸的薄膜的热变形温度(Td)低40℃的温度(Td-40℃)至比Td低10℃的温度(Td-10℃)的范围内。
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公开(公告)号：CN103270818A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062324.2
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社可乐丽
CPC classification number: H05K1/0245 , B29C37/0075 , B29C43/18 , B29C43/203 , H05K1/0237 , H05K1/0242 , H05K1/0296 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/281 , H05K2201/0129 , H05K2201/0141 , H05K2203/068 , Y10T156/10
Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。
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