公开(公告)号：CN100550470C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510060157.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鈴木恒德 ,  濑尾哲史 ,  野村亮二

IPC: H01L51/56 ,  H05K7/00

CPC classification number: G09G3/3216 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L2251/562 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于制造发光器件的方法，能够降低由稳定发光亮度随发光时间的推移而降低的处理所产生的功耗的增加。所述用于制造发光器件的方法具有用于在稳定发光亮度的降低的处理之后施加反向电压的步骤。对于所述用于稳定发光亮度的降低的处理没有特别限制，但是给出了例如用于施加正向电压的处理作为该处理。

公开(公告)号：CN101219959A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710307375.2

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村洸子 ,  川上祥子 ,  大泽信晴 ,  鈴木恒德

IPC: C07C211/61 ,  C07D209/86 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D209/86 ,  C07C211/54 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  C07C2603/18 ,  C07C2603/24 ,  C07C2603/94 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1022 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的目的在于提供新的蒽衍生物。另外，本发明的目的在于提供发光效率高的发光元件。另外，本发明的目的在于提供使用寿命长的发光元件。另外，本发明的目的在于通过使用这些发光元件来提供使用寿命长的发光装置及电子设备。本发明提供由通式(1)表示的蒽衍生物。另外，由通式(1)表示的蒽衍生物由于具有高发光效率，所以通过将该蒽衍生物用于发光元件，可以获得发光效率高的发光元件。另外，通过将由通式(1)表示的蒽衍生物用于发光元件，可以获得使用寿命长的发光元件。

公开(公告)号：CN101219959B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200710307375.2

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村洸子 ,  川上祥子 ,  大泽信晴 ,  鈴木恒德

IPC: C07C211/61 ,  C07D209/86 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D209/86 ,  C07C211/54 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  C07C2603/18 ,  C07C2603/24 ,  C07C2603/94 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1022 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的目的在于提供新的蒽衍生物。另外，本发明的目的在于提供发光效率高的发光元件。另外，本发明的目的在于提供使用寿命长的发光元件。另外，本发明的目的在于通过使用这些发光元件来提供使用寿命长的发光装置及电子设备。本发明提供由通式(1)表示的蒽衍生物。另外，由通式(1)表示的蒽衍生物由于具有高发光效率，所以通过将该蒽衍生物用于发光元件，可以获得发光效率高的发光元件。另外，通过将由通式(1)表示的蒽衍生物用于发光元件，可以获得使用寿命长的发光元件。

公开(公告)号：CN1674732A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510060157.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鈴木恒德 ,  濑尾哲史 ,  野村亮二

IPC: H05B33/10 ,  H05K7/00

CPC classification number: G09G3/3216 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L2251/562 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于制造发光器件的方法，能够降低由稳定发光亮度随发光时间的推移而降低的处理所产生的功耗的增加。所述用于制造发光器件的方法具有用于在稳定发光亮度的降低的处理之后施加反向电压的步骤。对于所述用于稳定发光亮度的降低的处理没有特别限制，但是给出了例如用于施加正向电压的处理作为该处理。