公开(公告)号：CN107078003B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201580050591.6

申请日：2015-10-02

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 石川刚 ,  胜野高志 ,  副岛成雅

IPC: H01J1/304 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3046 ,  H01J1/34 ,  H01J1/35 ,  H01S3/1636

Abstract: 提供了一种其生产简单的光诱导电子发射装置。该电子发射装置(1)包括基板(12)和电子发射膜(14)。电子发射膜(14)被设置在基板(12)上方，并且具有在其中形成的开口(14A)。电子发射膜(14)被以使得当光辐照界定开口(14A)的边缘部分(14a)时，从这个边缘部分(14a)发射电子的方式配置。

公开(公告)号：CN103123932B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210458371.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 胜野高志 ,  树神雅人 ,  市川正 ,  石井荣子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种在常闭状态下工作并具备高耐压和低导通电阻的半导体装置。在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。

公开(公告)号：CN107851713A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201580040140.4

申请日：2015-09-17

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 齐藤友美 ,  胜野高志 ,  上杉勉

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L45/147 ,  H01L27/20 ,  H01L29/786 ,  H01L41/0973 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L49/003

Abstract: 电子装置具备基板、沟道部、第一电极、第二电极及形状变化生成部。沟道部设于基板上，包含通过形状变化而在金属相与绝缘体相之间进行相变的相变材料。第一电极设于沟道部上，并与沟道部的上表面的一部分电连接。第二电极设于沟道部上，并与沟道部的上表面的另一部分电连接。形状变化生成部构成为使沟道部产生形状变化。

公开(公告)号：CN107078003A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050591.6

申请日：2015-10-02

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 石川刚 ,  胜野高志 ,  副岛成雅

IPC: H01J1/304 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01J29/481 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3046 ,  H01J1/34 ,  H01J1/35 ,  H01S3/1636

Abstract: 提供了一种其生产简单的光诱导电子发射装置。该电子发射装置(1)包括基板(12)和电子发射膜(14)。电子发射膜(14)被设置在基板(12)上方，并且具有在其中形成的开口(14A)。电子发射膜(14)被以使得当光辐照界定开口(14A)的边缘部分(14a)时，从这个边缘部分(14a)发射电子的方式配置。

公开(公告)号：CN103123932A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210458371.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 胜野高志 ,  树神雅人 ,  市川正 ,  石井荣子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种在常闭状态下工作并具备高耐压和低导通电阻的半导体装置。在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。