公开(公告)号：CN103123932B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210458371.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 胜野高志 ,  树神雅人 ,  市川正 ,  石井荣子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种在常闭状态下工作并具备高耐压和低导通电阻的半导体装置。在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。

公开(公告)号：CN103123932A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210458371.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 胜野高志 ,  树神雅人 ,  市川正 ,  石井荣子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种在常闭状态下工作并具备高耐压和低导通电阻的半导体装置。在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。