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公开(公告)号:CN1339800A
公开(公告)日:2002-03-13
申请号:CN01125743.1
申请日:2001-08-21
Applicant: 株式会社东金
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/3227 , H01L23/16 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在一种具有利用磁性材料的存储器件部分(33,34,35)的磁随机存取存储器中,在磁性材料附近设置高频电流抑制器(26),以抑制存储器件部分中的高频电流。该存储器件和高频电流抑制器一起模制在塑料树脂模体(25)中。高频电流抑制器最好由粒状磁性材料构成的膜膜制成,所说粒状磁性材料具有表示为M-X-Y的组分,其中M是磁性金属元素,Y是选自氧、氮、氟中的一种元素,X是除M和Y之外的元素。