公开(公告)号：CN111094858A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060769.9

申请日：2018-08-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝开利株式会社

Inventor： 米津麻纪 ,  原田耕一 ,  齐藤仁美 ,  八木亮介 ,  本乡卓也 ,  末永诚一

IPC: F24F3/147 ,  B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B01D71/10 ,  F28D9/00 ,  F28F3/08 ,  F28F21/00

Abstract: 本发明的全热交换元件用片材具备以纤维径为1μm～100μm的有机纤维作为主要成分的多孔质构件和设置于多孔质构件上且包含纤维径为1nm～50nm、具有OH基的无机纤维的膜。

公开(公告)号：CN119403774A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380048364.4

申请日：2023-06-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 藤泽幸子 ,  末永诚一 ,  森阳一朗

IPC: C04B37/02 ,  B32B15/04 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种在维持了接合强度的基础上能够抑制铜板导电率降低的陶瓷电路基板。实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板以及将所述陶瓷基板和所述铜板接合的接合层。所述接合层含有Ag、Cu、活性金属及第1元素。所述第1元素为选自Sn及In中的1种或2种。在通过SEM‑EDX分析任意的截面时，在将Cu的检测量为80质量％以上、且Cu的检测量的曲线图中的斜率的变化最大的地方作为第1测定点时，在所述第1测定点中，所述第1元素的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.4以下的范围内。所述第1测定点中的第1元素的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)优选为0.05以上且0.2以下的范围内。

公开(公告)号：CN119285367A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411392578.6

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 末永诚一 ,  米津麻纪 ,  藤泽幸子

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/498 ,  H05K3/38 ,  H05K1/03

Abstract: 实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，所述接合层包含Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比(MTi/ME1)为0.5以上的富Ti区和所述比(MTi/ME1)为0.1以下的贫Ti区。

公开(公告)号：CN114867579A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202180007559.5

申请日：2021-02-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 米津麻纪 ,  末永诚一 ,  藤泽幸子 ,  佐野孝

IPC: B23K35/30 ,  B23K1/19 ,  C04B37/02 ,  C22C5/06 ,  C22C30/02

Abstract: 根据实施方式，其特征在于，对于用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。此外，钎料优选含有Ag、Cu及Ti。此外，钎料优选在升温工序的550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。

公开(公告)号：CN107174925A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201610806359.7

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田耕一 ,  齐藤仁美 ,  米津麻纪 ,  末永诚一

IPC: B01D53/26 ,  B01D53/28

Abstract: 一种水蒸气分离体和除湿装置，实施方式的水蒸气分离体配置在第1空间与第2空间之间，用于通过使第2空间的水蒸气压力比第1空间的水蒸气压力低而使存在于第1空间内的水蒸气透过至第2空间。实施方式的水蒸气分离体具备：多孔质体，具有：与第1空间接触且具有凹凸构造的第1面；与第2空间接触的第2面；以及从第1面的至少构成凹凸构造的壁面通到第2面的细孔；以及水，存在于多孔质体的细孔内。

公开(公告)号：CN105448450A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510550141.5

申请日：2015-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末纲伦浩 ,  原田耕一 ,  江口朋子 ,  高桥利英 ,  末永诚一

IPC: H01F1/24 ,  H01F41/00

CPC classification number: H01F1/0063

Abstract: 本发明提供高频下具备高μ’和低μ”的特性优良的复合磁性材料的制造方法。实施方式的复合磁性材料的制造方法的特征在于，其包含以下工序：准备由第1磁性金属相和第2相构成的混相材料的第1工序，所述第1磁性金属相由磁性金属构成，所述第2相含氧(O)、氮(N)或碳(C)中的任意一种及非磁性金属；在50℃以上且800℃以下的温度下对混相材料进行热处理的第2工序；通过减小热处理后的混相材料所含的第1磁性金属相的平均粒径及粒度分布不均、获得由磁性金属纳米粒子和所述第2相构成的纳米粒子集合体的第3工序，所述磁性金属纳米粒子由所述第1磁性金属相构成；以及在50℃以上且800℃以下的温度下对纳米粒子集合体进行热处理的第4工序。

公开(公告)号：CN102969105B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210320275.4

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末纲伦浩 ,  末永诚一 ,  高桥利英 ,  江口朋子 ,  原田耕一 ,  堀田康之

IPC: H01F1/01 ,  B22F1/02

CPC classification number: H01F1/01 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/02 ,  B22F2998/10 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/001 ,  H01F1/153 ,  H01F1/15333 ,  H01F1/24 ,  H01F1/33 ,  H01F41/005 ,  H01F41/0246 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/89 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/325 ,  B22F1/0003 ,  C22C1/1084 ,  C22C1/1094

Abstract: 本发明的实施方式的磁性材料具备：含有平均粒径为1nm以上且100nm以下且含有选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属的金属纳米粒子以及选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba及Sr中的至少1种非磁性金属的磁性粒子；将上述磁性粒子的至少一部分被覆的第1氧化物的第1被覆层；存在于上述磁性粒子间且与第1氧化物构成共晶反应体系的第2氧化物的氧化物粒子；及存在于上述磁性粒子间且具有第1氧化物与第2氧化物的共晶组织的氧化物相。

公开(公告)号：CN103366914A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210500269.7

申请日：2012-11-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥利英 ,  末纲伦浩 ,  原田耕一 ,  末永诚一

IPC: H01F1/24

CPC classification number: H01Q17/00 ,  H01Q17/004

Abstract: 本发明实施方式的电波吸收体具备：多个核心－壳体型粒子，其具有核心部和壳体层，所述核心部含有选自由Fe、Co、Ni组成的第一组中的至少一种磁性金属元素和选自由Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba以及Sr组成的第二组中的至少一种金属元素；所述壳体层覆盖核心部的至少一部分，且具有含有核心部中所含的至少一种所述第二组金属元素的氧化物层；以及结合层，其将核心-壳体型粒子结合，且电阻比所述核心-壳体型粒子高。并且，电波吸收体中的所述核心－壳体型粒子的体积填充率为10%以上且55%以下。

公开(公告)号：CN115989579B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202180053012.9

申请日：2021-10-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 末永诚一 ,  米津麻纪 ,  藤泽幸子 ,  森阳一朗

IPC: C04B37/02 ,  H05K3/38 ,  H01L23/15 ,  H01L23/14 ,  H01L23/13

Abstract: 实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。接合层配置在所述陶瓷基板的至少一面上，接合所述陶瓷基板和所述铜板。所述接合层含有Ti反应层及多个第1合金。所述Ti反应层含有氮化钛或氧化钛作为主成分。所述多个第1合金位于所述Ti反应层与所述铜板之间。所述多个第1合金分别含有选自Cu‑Sn合金及Cu‑In合金中的一种以上。所述多个第1合金具有相互不同的Sn浓度或In浓度。根据实施方式，能够降低翘曲量，并且能够提高接合工序的升温速度及降温速度。实施方式中，作为陶瓷基板氮化硅基板是适合的。

公开(公告)号：CN119581422A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411735018.6

申请日：2021-05-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 米津麻纪 ,  末永诚一 ,  藤泽幸子 ,  佐野孝

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  B23K35/30 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03

Abstract: 实施方式的接合体具备：陶瓷基板、铜板、以及配置于上述陶瓷基板的至少一面且将上述陶瓷基板与上述铜板接合的接合层。上述接合层含有钛。上述接合层具有第一区域、和位于上述第一区域与上述铜板之间的第二区域，上述第一区域包含以钛作为主成分的层，上述层形成于上述接合层与上述陶瓷基板的界面。通过EDX测定上述第一区域及上述第二区域各自的测定区域的200μm×厚度的范围中的Ti浓度时，上述接合体的上述第一区域的钛浓度M1at％与上述第二区域的钛浓度M2at％之比M1/M2为0.1～5。