公开(公告)号：CN1557022A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818359.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 都鹿野健一 ,  齐藤芳彦 ,  上月繁雄 ,  碓氷康典 ,  泉泽优 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n－型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。

公开(公告)号：CN1905208A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610108936.1

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永野元 ,  齐藤芳彦

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532

Abstract: 在Si基板(11)上形成渐变SiGe Buffer层(12)和SiGe Buffer层(13)，并且在其上面形成小于等于临界膜厚的应变Si层(14)，由此来降低对应变Si层(14)与SiGe Buffer层(13)的界面所施加的应力，实现结晶缺陷密度低的应变Si层(14)，并且通过利用比Si的晶格常数大的SiGe Cap层(21)覆盖应变Si层(14)表面，防止了应变Si层(14)在后段工序中因牺牲氧化而消失，从而实现了能够在其上面形成栅极氧化膜的高品质的应变Si晶片。

公开(公告)号：CN1331238C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02818359.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 都鹿野健一 ,  齐藤芳彦 ,  上月繁雄 ,  碓氷康典 ,  泉泽优 ,  河野孝弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将As及B注入槽(3)的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽(3)夹在中间的n-型外延Si层变成由沿横向排列的n型柱层(5)/p型柱层(4)/n型柱层(5)构成的、实际上具有与超结型结构相同的作用的半导体结构。