公开(公告)号：CN1035142C

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN93120516.6

申请日：1993-10-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 马场喜朗 ,  柳谷谕 ,  松田升 ,  开俊一

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 作为纵向MOS FET的沟槽内壁面的栅绝缘膜，采用复合栅膜时，不产生因栅外加电场而形成的栅阀值电压变动，可获得可靠性高，特征稳定而优质的纵向MOS FET。本发明的构成特征是作为装在半导体器件内的纵向MOS FET的截面大体是U字形沟的内壁面栅绝缘膜，采用至少叠合氧化膜和氮化膜的复合栅膜，前述复合栅膜的氧化膜换算膜厚和前述沟上部拐角部分曲率半径这样设定，使前述沟上部的拐角部分的复合栅膜击穿电场强度范围为2.5MV/cm-5.0MV/cm。

公开(公告)号：CN1090680A

公开(公告)日：1994-08-10

申请号：CN93120516.6

申请日：1993-10-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 马场喜朗 ,  柳谷谕 ,  松田升 ,  开俊一

IPC: H01L29/784

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 作为纵向MOS FET的沟槽内壁面的栅绝缘膜，采用复合栅膜时，不产生因栅外加电场而形成的栅阀值电压变动，可获得可靠性高，特征稳定而优质的纵向MOS FET。本发明的构成特征是作为装在半导体器件内的纵向MOS FET的截面大体是U字形沟的内壁面栅绝缘膜，采用至少叠合氧化膜和氮化膜的复合栅膜，前述复合栅膜的氧化膜换算膜厚和前述沟上部拐角部分曲率半径这样设定，使前述沟上部的拐角部分的复合栅膜击穿电场强度范围为2.5MV/cm-5.0MV/cm。