公开(公告)号：CN104916316A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453807.0

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 镰田英行 ,  南稔郁 ,  东辻哲平 ,  佐藤敦祥 ,  米浜敬祐 ,  马场康幸 ,  篠原广

IPC: G11C16/04

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C5/025 ,  G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3459 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种可以抑制面积增加的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1、第2存储单元晶体管MT、第1、第2字线WL、第1、第2晶体管(50)、及第1、第2驱动电路(60)。第1存储单元晶体管MT设置在半导体基板上方且包括电荷累积层。第2存储单元晶体管MT设置在第1存储单元晶体管MT的上方且包括电荷累积层。第1、第2字线WL分别与第1、第2存储单元晶体管MT连接。第1、第2驱动电路(60)分别施加各自的电压到第1、第2字线WL。第1、第2晶体管(50)分别将第1、第2字线WL与第1、第2驱动电路(60)之间连接。第1晶体管(50)与第2晶体管(50)的尺寸不同。