-
公开(公告)号:CN105280232A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510096421.3
申请日:2015-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C29/50004 , G11C16/0483 , G11C29/06 , G11C29/44 , G11C2029/1204
Abstract: 本发明涉及半导体存储器器件和存储器系统。根据一个实施例,半导体存储器器件包括:晶体管;NAND串;位线;源线;以及串集合。将所述晶体管在半导体衬底之上层叠。在所述串集合的一个中,在第一NAND串中的第一晶体管具有第一阈值,并且在第二NAND串中的第一晶体管具有低于所述第一阈值的第二阈值。
-
公开(公告)号:CN1892630A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610115640.2
申请日:2006-05-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F13/28
CPC classification number: G06F13/28
Abstract: 一种数据传送装置包括:第一传送调节电路;以及第二传送调节电路。数据传送装置控制第一存储装置和第二存储装置间的数据传送。第一传送调节电路应答从上述第一存储装置向上述第二存储装置的数据的传送命令,输出以第一传送单位按照地址顺序传送上述数据的第一传送命令。第二传送调节电路应答上述第一传送命令,输出以比上述第一传送单位更小的第二传送单位传送上述第一传送单位的上述数据的第二传送命令。第二传送调节电路在上述第一、第二存储装置中从可以进行存取的地址开始顺序输出上述第二传送命令。
-