公开(公告)号：CN101266979B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810081774.6

申请日：2008-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细野浩司 ,  吉原正浩 ,  中村大 ,  甲斐洋一

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C5/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明一方面的非易失性半导体存储器包括：存储单元阵列(12A和12B)，包括多个单元元件；电源衬垫(19)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的第一方向的一端上；以及页缓冲器(13A-u和13B-u)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的所述第一方向上。所述非易失性半导体存储器还包括：多条位线(BL(M1))，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)上且沿所述第一方向延伸；以及第一电源线(Vss(M2))，设置在所述存储单元阵列上的所述多条位线(BL(M1))上，以连接所述电源衬垫(19)和所述页缓冲器(13A-u和13B-u)。

公开(公告)号：CN101266979A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810081774.6

申请日：2008-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细野浩司 ,  吉原正浩 ,  中村大 ,  甲斐洋一

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C5/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明一方面的非易失性半导体存储器包括：存储单元阵列(12A和12B)，包括多个单元元件；电源衬垫(19)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的第一方向的一端上；以及页缓冲器(13A－u和13B－u)，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)的所述第一方向上。所述非易失性半导体存储器还包括：多条位线(BL(M1))，设置在所述存储单元阵列(12A和12B)上且沿所述第一方向延伸；以及第一电源线(Vss(M2))，设置在所述存储单元阵列上的所述多条位线(BL(M1))上，以连接所述电源衬垫(19)和所述页缓冲器(13A－u和13B－u)。