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公开(公告)号：CN115336010B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080098161.2
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)；n电极(5)；以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)；和具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或具有第1n区域(4a)及第2n区域(4b)的n型层(4)，其中，第1n型层(4A)及第1n区域(4a)以Gax1M1x2M2x3M3x4Ox5所表示的化合物作为主体，M1为Al或/和B，M2为选自由In、Ti、Zn、Hf及Zr构成的组中的一种以上，M3为选自由Sn、Si及Ge构成的组中的一种以上，x1及x5为大于0的数值，x2、x3及x4为0以上的数值，在将x1、x2、x3及x4之和设定为2的情况下，x5为3.0以上且3.8以下，第2n型层(4B)及第2n区域(4b)以Gay1M1y2M2y3M3y4Oy5所表示的化合物作为主体，y1和y5为大于0的数值，y2、y3及y4为0以上的数值，在将y1、y2、y3及y4之和设定为2的情况下，y5为3.0以上且3.8以下。(x2+x3)大于(y2+y3)。
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公开(公告)号：CN115380392B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080098175.4
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明解决的课题在于，提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)、n电极(5)、以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)、以及具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或者具有第一区域及第二区域的n型层(4)，第1n型层(4A)及第一区域以由Gax1M1x2Ox3表示的化合物作为主体，M1为选自Hf、Zr、In、Zn、Ti、Al、B、Sn、Si及Ge中的一种以上，x1、x2及x3是大于0的数值，在将x1及x2之和设为2的情况下，x3为3.0～3.8，第2n型层(4B)及第二区域以由Gay1Zny2M2y3M3y4Oy5表示的化合物作为主体，M2为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Si及Ge中的一种以上，M3为Sn和/或Mg，y1、y2、y3及y4为0以上的数值，并且y3与y4之和大于0，在将y1、y2、y3及y4之和设为2的情况下，y5为2.2～3.6。
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公开(公告)号：CN115244715B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202080098166.5
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/032
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于提供转换效率优异的太阳能电池、多接合型太阳能电池、太阳能电池组件及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极(2)；n电极(5)；位于p电极(2)与n电极(5)之间的以氧化亚铜为主体的p型光吸收层(3)；以及位于p型光吸收层(3)与n电极(5)之间的第1n型层(4A)，其是以Gax1M1x2M2x3M3x4M4x5Ox6所示的化合物为主体的层(4A)，M1为Hf或/及Zr，M2为选自In、Ti及Zn中的1种以上，M3为Al或/及B，M4为选自Sn、Si及Ge中的1种以上，x1、x2及x6是大于0的数值，x3、x4及x5是0以上的数值，当使x1、x2、x3、x4及x5之和为2时、x6为3.0～3.8。
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公开(公告)号：CN117136439A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280019718.8
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0352
Abstract: 提供一种转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池包含p电极、n电极、设置于p电极上的p型光吸收层、以及设置于p型光吸收层与n电极之间的n型层。从p型光吸收层的n型层侧的表面朝向p电极侧包含第一区域，第一区域包含n型掺杂剂，第一区域的厚度为1500[nm]以上且p型光吸收层的厚度[nm]以下，第一区域的n型掺杂剂的浓度为1.0×1014[cm‑3]以上且1.0×1019[cm‑3]以下，在第一区域中，n型掺杂剂的浓度及空穴浓度满足10≤{n型掺杂剂的浓度[cm‑3}/{空穴浓度[cm‑3}≤5.0×1026。
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公开(公告)号：CN102603809B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110309209.2
申请日：2011-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0091 , C07F1/005 , C07F9/58 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/188 , H01L51/5016
Abstract: 本发明的实施方式提供新型化合物以及使用了该化合物的有机场致发光元件、显示装置及照明装置。提供廉价、容易合成且显示短波长的发光波长的铜络合物、以及将该铜络合物用作发光掺杂剂的有机场致发光元件、显示装置及照明装置。根据实施方式，可以提供下述通式(1)所示的化合物，式中，Cu+为铜离子。R1及R2可分别相同或不同，为直链状、支链状或环状的烷基、或可具有取代基的芳香环基。R3、R4、R5及R6可分别相同或不同，为卤素原子、氰基、硝基、支链状或环状的烷基或H。X-为平衡离子，X为F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。化学式1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104230988A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410478814.6
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C07F9/5045 , C07F9/5022
Abstract: 本发明提供新型化合物及使用了该新型化合物的有机场致发光元件、显示装置和照明装置。本发明的实施方式涉及新型化合物和使用了该新型化合物的有机场致发光元件、显示装置和照明装置。本发明提供廉价、合成容易且显示短波长的发光波长的铜络合物。根据实施方式，提供用下述通式(1)所示的化合物，式中，Cu+为铜离子；PR1R2R3是配位于Cu+的膦化合物；R1、R2、R3是碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者是可具有取代基的芳香环基团；R4是具有供电子性的取代基；X—是平衡离子。
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公开(公告)号：CN102195005B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201010273790.2
申请日：2010-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0091 , H01L51/009
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管、显示器和照明器件。根据一个实施方案，提供一种有机发光二极管(10)，其包括相互间隔排列的阳极(12)和阴极(17)，和插入阳极(12)与阴极(17)之间且包括主体材料和发射掺杂剂的发射层(14)。发射掺杂剂包括由下式(1)表示的铜配合物，其中Cu+表示铜离子，配体A表示具有氮作为配位元素的吡啶衍生物且可具有取代基，PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，其中R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团，且X-表示抗衡离子(相反离子)，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。
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公开(公告)号：CN102603809A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110309209.2
申请日：2011-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0091 , C07F1/005 , C07F9/58 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/188 , H01L51/5016
Abstract: 本发明的实施方式提供新型化合物以及使用了该化合物的有机场致发光元件、显示装置及照明装置。提供廉价、容易合成且显示短波长的发光波长的铜络合物、以及将该铜络合物用作发光掺杂剂的有机场致发光元件、显示装置及照明装置。根据实施方式，可以提供下述通式(1)所示的化合物，式中，Cu+为铜离子。R1及R2可分别相同或不同，为直链状、支链状或环状的烷基、或可具有取代基的芳香环基。R3、R4、R5及R6可分别相同或不同，为卤素原子、氰基、硝基、支链状或环状的烷基或H。X-为平衡离子，X为F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。化学式1
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公开(公告)号：CN117916898A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202380013405.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 一种制造实施方案的太阳能电池的方法，包括在基底上形成p电极；在p电极上形成含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物作为主要成分的膜；以及将含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物作为主要成分的膜氧化。氧化的氧分压为5000[Pa]以上且200000[Pa]以下。氧化的水蒸气浓度为9.4×10‑1[g/m3]以上且2.5×103[g/m3]以下。氧化的温度为40[℃]以上且150[℃]以下。氧化的持续时间为10[秒]以上且150[分钟]以下。
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公开(公告)号：CN116075945A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180061553.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072
Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、p电极上的包含氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的p型光吸收层、p型光吸收层上的n型层和n型层上的n电极，在p型光吸收层中，将从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为10nm的深度的位置为止的区域设定为第1区域，且将p型光吸收层的自从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为100nm的深度的位置为止的区域中除去第1区域以外的区域设定为第2区域的情况下，第1区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的最大亮度为第2区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的平均亮度的95％以上且105％以下。
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