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公开(公告)号：CN1330025C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510067384.X
申请日：1999-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M4/24 , C01B3/0052 , C01B3/0057 , C22C19/03 , C22C19/05 , C22C45/04 , C23C30/00 , H01M4/0497 , H01M4/242 , H01M4/30 , H01M4/383 , H01M4/58 , H01M6/10 , H01M10/24 , H01M10/26 , H01M10/30 , Y02E60/124 , Y02E60/327 , Y02P70/54 , Y10S420/90
Abstract: 本发明提供了贮氢合金，包含作为主相的选自结晶系为六方晶系的第1相(但除了具有CaCu5型结构的相)及结晶系为菱形晶系的第2相的至少一种相，具有AB2型晶体结构的相的含量在10容积%以下(包含0容积%)，且具有用下述通式(1)：R1-a-bMgaTbNiZ-X-Y-αM1XM2YMnα(1)表示的组成。
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公开(公告)号：CN110999553B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201880053736.1
申请日：2018-09-07
Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN117062326A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311255880.2
申请日：2018-09-07
IPC: H05K3/06 , H05K3/26 , H05K3/20 , H05K3/38 , H05K1/09 , H05K1/03 , C04B41/88 , C23F1/02 , C23F1/16
Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1115735C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN98103175.7
申请日：1998-06-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C01B3/0057 , H01M4/383 , Y02E60/327 , Y10S420/90
Abstract: 提供一种储氢合金，它含有用铸造或烧结方法生产的合金块或这种合金块的粉末产物，且所述合金块由下述通式(1)表示：(Mgl-a-bRlaMlb)Niz(1)其中Rl是从稀土元素(包括Y)中选出的至少一种元素；Ml是从负电性大于Mg的元素中选出的至少一种元素(除元素Rl，Cr，Mn，Fe，Co，Cu，Zn和Ni以外)；且a，b和z的值分别满足下列条件：0.1≤a≤0.8，0＜b≤0.9，1-a-b＞0，以及3≤z≤3.8。
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公开(公告)号：CN100433420C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510125554.5
申请日：2005-11-25
CPC classification number: C22C13/00 , B22F9/082 , B22F9/10 , B22F2998/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , B22F1/0048
Abstract: 本发明的电极材料包括具有Gd3Ni8Sn16型晶体结构的合金。
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公开(公告)号：CN1780035A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510125554.5
申请日：2005-11-25
CPC classification number: C22C13/00 , B22F9/082 , B22F9/10 , B22F2998/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , B22F1/0048
Abstract: 本发明的电极材料包括具有Gd3Ni8Sn16型晶体结构的合金。
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公开(公告)号：CN1665051A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510067384.X
申请日：1999-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M4/24 , C01B3/0052 , C01B3/0057 , C22C19/03 , C22C19/05 , C22C45/04 , C23C30/00 , H01M4/0497 , H01M4/242 , H01M4/30 , H01M4/383 , H01M4/58 , H01M6/10 , H01M10/24 , H01M10/26 , H01M10/30 , Y02E60/124 , Y02E60/327 , Y02P70/54 , Y10S420/90
Abstract: 本发明提供了贮氢合金，包含作为主相的选自结晶系为六方晶系的第1相(但除了具有CaCu5型结构的相)及结晶系为菱形晶系的第2相的至少一种相，具有AB2型晶体结构的相的含量在10容积％以下(包含0容积％)，且具有用下述通式(1)：R1－a－bMgaTbNiZ－X－Y－αM1XM2YMnα(1)表示的组成。
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