-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1606163A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410036653.1
申请日：2004-04-29
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239 , H01L21/31
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极和顶电极中的至少一个包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO3所表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118、122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。
-
公开(公告)号：CN100424876C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410036653.1
申请日：2004-04-29
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239 , H01L21/31
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极和顶电极中的至少一个包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO3所表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118、122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。
-
公开(公告)号：CN100352063C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN03800949.8
申请日：2003-05-28
Abstract: 半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。
-
公开(公告)号：CN101006544A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028474.6
申请日：2005-08-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/316 , H01J2201/306
Abstract: PED包括在后基板内表面(4a)上形成为矩阵形式的信号线(18a，18b)和扫描线(18c，18d)，并且PZT膜(24)用作各个交点处的电子发射元件。通过在元件电极(21，22)之间施加电压，各个PZT膜(24)发射具有依赖于PZT膜(24)形状的横截面形状的电子束。
-
公开(公告)号：CN1550043A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03800949.8
申请日：2003-05-28
Abstract: 半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.015 seconds)
