公开(公告)号：CN101452930A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810179557.0

申请日：2008-12-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野博司 ,  井谷孝治 ,  森藤英治 ,  大石范和 ,  饭沼俊彦 ,  本宫佳典

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/2686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，即使不延长在进行光退火时的半导体基板的升温时间，也能够降低温度不均，从而能够对提高电路性能做出贡献。一种经过用主波长在1.5μm以下的照射光的光退火工序的半导体装置，具有：电路图形区域(20)，其在半导体基板上形成，具有与电路工作有关的集成电路图形(21、22)；以及虚设图形区域(30)，其在基板上与电路图形区域(20)相离开形成，以主波长的0.4倍以下的间距周期性地配置有虚设栅极图形(31)，所述虚设栅极图形(31)与集成电路图形中使用的栅极图形(21)具有相同结构且与电路工作无关。