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公开(公告)号：CN118588684A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311069933.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L27/085
Abstract: 本发明提供半导体装置。提供能够降低寄生电感的半导体装置。半导体装置具备第1导电部件、第2导电部件、布线部件、多个半导体芯片、以及多个端子。半导体芯片具有半导体层、第1电极、第1栅极焊盘、第2栅极焊盘、以及位于半导体层与第2导电部件之间且与第2导电部件电连接的第2电极。多个端子具有：第1栅极端子，经由布线部件与第1栅极焊盘电连接；第2栅极端子，经由布线部件与第2栅极焊盘电连接；以及感测端子，经由布线部件与第1导电部件电连接。在与从第1导电部件向第2导电部件的第1方向垂直的俯视时，感测端子位于第1栅极端子与第2栅极端子之间。
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公开(公告)号：CN112786697B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010951160.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供半导体装置的控制方法，能够降低导通损耗与开关损耗。半导体装置具备半导体部的第1面上的第1电极、第2面上的第2电极和设置于半导体部与第1电极之间的控制电极。半导体部包括第1层、第2层、第3层、第4层以及第5层。第2层位于第1层与第1电极之间，第3层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第4以及第5层选择性地设置于第1层与第2电极之间。在半导体装置的控制方法中，在第1层与第2层之间的pn结正偏置而接下来逆偏置之前的第1期间，对控制电极施加第1电压，在第1期间后的第2期间，施加比第1电压高的第2电压，在第2期间后至pn结逆偏置的第3期间施加比第1电压高、比第2电压低的第3电压。
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公开(公告)号：CN114447112B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202110971529.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明公开半导体装置以及半导体模块。提供能够降低损耗的半导体装置以及半导体模块。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、半导体构件、第1绝缘构件以及第2绝缘构件。半导体构件设置于第2电极与第1电极之间。第1半导体构件包括第1～第7半导体区域。第4半导体区域具有第1杂质浓度、第1载流子浓度以及第4半导体区域的体积相对于半导体构件的体积的第1体积比。第7半导体区域具有比第1杂质浓度高的第2导电类型的第2杂质浓度、比第1载流子浓度高的第2导电类型的第2载流子浓度以及比第1体积比高的第2体积比中的至少任意一个。第2体积比是第7半导体区域相对于半导体构件的体积的体积比。
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公开(公告)号：CN113782597B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110032976.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1、第2导电部件、第1、第2电极、第1～第4半导体区域以及第1绝缘部件。第1绝缘部件的一部分的厚度比第1绝缘部件的另外一部分的厚度厚。在第2导电部件成为截止状态之前，第1导电部件成为截止状态。
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公开(公告)号：CN116632056A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210884681.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 一种半导体装置，包含第1～第4电极、半导体部件及绝缘部件。半导体部件包含第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域以及第2导电型的第6半导体区域。第3半导体区域包含第1部分区域和第2部分区域。第2部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第2半导体区域之间。第1部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第3电极之间。在与第1方向交叉的第2方向上，第3电极与第2半导体区域、第4半导体区域以及第5半导体区域重叠。第4电极在第1方向上处于第1部分区域与第3电极之间。从第4电极向第2部分区域的方向沿着第2方向。
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公开(公告)号：CN113540242B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110052353.6
申请日：2021-01-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。
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公开(公告)号：CN114764553A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110985650.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 坂野竜则
IPC: G06F30/39
Abstract: 提供能够更高效地搜索控制值的设计支持装置、设计支持系统、电气装置、设计支持方法以及存储介质。设计支持装置执行第1处理。设计支持装置在第1处理中，针对设置有包括第1栅极以及第2栅极的多个栅极的半导体元件，设定包括向第1栅极施加电压的第1定时与向第2栅极施加电压的第2定时的第1时间差的控制值组。设计支持装置在第1处理中，根据与控制值组对应的电信号被输入到半导体元件时的输出结果，计算表示半导体元件的特性的特性值。设计支持装置在第1处理中，根据包括基于特性值的得分与控制值组的1个以上的数据集的历史数据来计算第1函数。设计支持装置使用第1函数来设定新的控制值组。
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公开(公告)号：CN113809178A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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公开(公告)号：CN113224152B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010939014.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第2电极之间，第6层设置于第1层与第2电极之间。第2电极经由包括第6层的第1导电类型区域与第1层连接。
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公开(公告)号：CN113809178B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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