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发明公开
半导体存储卡及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN105989404A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610136673.9

申请日：2016-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西山拓 , 佐藤圭介 , 井戶道雄

IPC: G06K19/077

CPC classification number: H01L2224/48147 , G06K19/07732

Abstract: 本发明的实施方式提供一种降低制造成本或制造工作量的半导体存储卡及其制造方法。在实施方式的制造方法中，准备第1半导体存储装置、及外形小于该第1半导体存储装置的第2半导体存储装置。准备包含用以使半导体存储装置的外部端子露出的开口部(14)的第1盒(11A)及第2盒(12A)。第1及第2盒(11A、12A)具有：收容部(16、18)，具有与第1半导体存储装置对应的形状；及支撑部(19)，设置在收容部(16、18)内，且将第2半导体存储装置进行定位。在卡盒(10A)内收纳第1或第2半导体存储装置，制作半导体存储卡。

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