公开(公告)号：CN109075530A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028564.8

申请日：2017-04-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 高山彻 ,  中谷东吾 ,  狩野隆司 ,  左文字克哉

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/343

Abstract: 一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。

公开(公告)号：CN104350651A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380025414.3

申请日：2013-04-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  山中一彦 ,  吉田真治 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/343 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体发光装置(300)具有：在表面有极性面或半极性面的氮化物半导体基板(201)上层叠氮化物半导体多层膜的氮化物半导体发光元件(310)；和搭载该元件的搭载部(311)。氮化物半导体多层膜包含电子阻挡层(204)。电子阻挡层的晶格常数小于氮化物半导体基板的晶格常数。搭载部至少具有第1搭载部基材(311a)。第1搭载部基材位于搭载氮化物半导体发光元件一侧。第1搭载部基材的热膨胀系数小于氮化物半导体多层膜的热膨胀系数。第1搭载部基材的热传导率大于氮化物半导体多层膜的热传导率。

公开(公告)号：CN110574245A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880027686.X

申请日：2018-04-12

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 高山彻 ,  西川透 ,  中谷东吾 ,  左文字克哉 ,  狩野隆司 ,  植田慎治

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/323

Abstract: 氮化物系发光装置(半导体激光装置(51a))具备：氮化物系半导体发光元件(半导体激光元件(11))，其在AlxGa1-xN(0≤x≤1)基板(GaN基板(101))上具有从AlxGa1-xN基板侧依次层叠了第一包层(103)、第一光导层(105)、量子阱活性层(106)、第二光导层(107)及第二包层(109)的多层构造；以及底座基板(122)，其用于安装氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体发光元件安装于底座基板(122)使得多层构造与底座基板(122)对置，底座基板(122)由金刚石形成，在氮化物系半导体发光元件中，在AlxGa1-xN基板侧形成有凹型的翘曲。

公开(公告)号：CN104350651B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201380025414.3

申请日：2013-04-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  山中一彦 ,  吉田真治 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/343 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体发光装置(300)具有：在表面有极性面或半极性面的氮化物半导体基板(201)上层叠氮化物半导体多层膜的氮化物半导体发光元件(310)；和搭载该元件的搭载部(311)。氮化物半导体多层膜包含电子阻挡层(204)。电子阻挡层的晶格常数小于氮化物半导体基板的晶格常数。搭载部至少具有第1搭载部基材(311a)。第1搭载部基材位于搭载氮化物半导体发光元件一侧。第1搭载部基材的热膨胀系数小于氮化物半导体多层膜的热膨胀系数。第1搭载部基材的热传导率大于氮化物半导体多层膜的热传导率。