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公开(公告)号：CN100376040C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源(10)，该电子源包括形成于绝缘基片(1)一侧表面上的电子源元件(10a)。电子源元件(10a)包括下电极(2)，复合纳米晶体层(6)和表面电极(7)。复合纳米晶体层(6)包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒(51)表面上形成的氧化硅薄膜(52)，存在于相邻晶粒(51)之间的大量纳米晶体硅(63)，以及在每个纳米晶体硅(63)表面形成的氧化硅膜(64)。氧化硅膜(64)是厚度小于纳米晶体硅(63)晶粒大小的绝缘膜。表面电极(7)是由碳薄膜(7a)和金属薄膜(7b)形成，碳薄膜(7a)层压在复合纳米晶体层(6)上与其相接触，而金属薄膜(7b)层压在碳薄膜(7a)上。
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公开(公告)号：CN1533608A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源10，该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2，复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52，存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63，以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成，碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触，而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。
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公开(公告)号：CN1825519A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004886.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1419260A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02148085.0
申请日：2002-10-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
Abstract: 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件10a。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号：CN1395272A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02124448.0
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种电场放射型电子源10，具有n型硅基板1、在n型硅基板1的1个表面上形成的漂移层6(强电场漂移层)、在漂移层6上形成的表面电极7。通过外加电压，使表面电极7相对于n型硅基板1为正极，从而由n型硅基板1注入漂移层6中的电子在该漂移层6中漂移，通过表面电极7被释放出。在该电场放射型电子源10的制造过程中，形成漂移层6时，通过阳极氧化形成含有半导体微晶体的多孔质半导体层。然后，在各半导体微晶体表面形成绝缘膜。对半导体层照射主要含有可见光区域波长的光，同时进行阳极氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1849673B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200480026387.2
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用电子处理和改善目标对象的装置和方法，通过该装置和方法，即使在具有相对宽的表面区域需要处理的时候，也能够在与大气压力基本相等的压力下使用电子均匀且有效地处理和改善目标对象。该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力的冷阴极电子发射器，并且优选包括一对电极以及一个包含布置于所述电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。通过在所述电极之间施加电压来使目标对象暴露于从该平面电子发射部分中所发射的电子中。优选的是，所发射出的电子的能量从1eV到50keV、优选1eV到100eV的范围中选择。
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公开(公告)号：CN100545984C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610004887.7
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1217371C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00128588.2
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在由玻璃基板组成的绝缘性基板11的一个表面上形成导电性层8。在导电性层8上形成由氧化的多孔质多晶硅层组成的强电场漂移层6。在强电场漂移层6上形成表面电极7。导电性层8由形成在绝缘性基板11上的由铜组成的下侧的导电性膜8a和形成在该导电性膜8a上的由铝组成的上侧的导电性膜8b所构成。强电场漂移层6这样形成：在导电性层8上形成多晶硅层，把该多晶硅层进行多孔质化，然后，进行氧化。上侧的导电性膜8b具有易于与硅发生反应的性质，因此，在多晶硅层形成时能够抑制非晶层的形成。
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公开(公告)号：CN1216394C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e-)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN1254173A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。
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