-
公开(公告)号：CN101528991A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038953.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Inventor： 罗伯特·大卫·阿米蒂奇 , 近藤行广 , 平山秀树
IPC: C30B25/18 , C30B28/12 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02661 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明实现能够通过气相法使晶体m面生长的廉价的衬底。在蓝宝石衬底(1)中，在生长GaN等的晶体(2)之际，作为该晶体(2)的模板的生长面(3)，通过研磨工序来制作相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面，来形成具有台阶(5)和平台(6)的阶梯状台阶衬底。从而，即使使用通常不生长m面(无极性面)GaN膜的廉价的蓝宝石衬底(1)来作为结晶生长用衬底，也能够通过有利于器件制作的气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。
-
公开(公告)号：CN1254173A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。
-
公开(公告)号：CN100422380C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN01121971.8
申请日：2001-06-22
IPC: C23C14/24 , C23C14/12 , H01L21/203
Abstract: 一真空蒸镀设备，该设备包括：具有多个蒸发源和一第一加热器的一真空室，所述第一加热器用于加热蒸发源以实现在该真空室内的至少一基片的一表面上的真空蒸镀；诸蒸发源中的至少一个使用一有机材料；一热壁，所述热壁位于真空室内；一将热壁加热到该有机材料既不附着又不分解的一温度的第二加热器，所述热壁包围诸蒸发源和基片在其内相互面对的一空间；以及，通过加热诸蒸发源同时使诸蒸发源和基片彼此相对移动，使所述有机材料被蒸镀在基片的表面上。
-
公开(公告)号：CN1216393C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法，场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上，从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3，以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状，跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7，能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子，所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
-
公开(公告)号：CN101258616B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层(3)；在n-型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p-型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n-型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1282210C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10，设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中，从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子，在强电场漂移层6内向正面漂移，经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6，通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化，再用稀硝酸等氧化形成。
-
公开(公告)号：CN1575349A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02821221.5
申请日：2002-10-28
CPC classification number: C23C14/044 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/243
Abstract: 本发明公开的真空蒸镀装置是在真空室(1)内放置着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)，同时用被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体(4)包围着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)之间的空间，从蒸发源(2)气化的物质通过筒状体4内到达被蒸镀体(3)的表面，从而进行了蒸镀，在这样的真空蒸镀装置中，在筒状体中装有控制件(8)，控制引导上述气化物质在筒状体(4)内向着被蒸镀体(3)移动。由此，能够控制气化物质在被蒸镀体上附着的分布，能够以均匀的膜厚在被蒸镀体上进行蒸镀，同时根据不同情况，能够按照操作者的意图以设定的膜厚分布进行蒸镀。
-
公开(公告)号：CN101258616A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n－型氮化物半导体层(3)；在n－型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p－型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n－型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
-
公开(公告)号：CN1302149C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN02821221.5
申请日：2002-10-28
CPC classification number: C23C14/044 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/243
Abstract: 本发明公开的真空蒸镀装置是在真空室(1)内放置着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)，同时用被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体(4)包围着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)之间的空间，从蒸发源(2)气化的物质通过筒状体4内到达被蒸镀体(3)的表面，从而进行了蒸镀，在这样的真空蒸镀装置中，在筒状体中装有控制件(8)，控制引导上述气化物质在筒状体(4)内向着被蒸镀体(3)移动。由此，能够控制气化物质在被蒸镀体上附着的分布，能够以均匀的膜厚在被蒸镀体上进行蒸镀，同时根据不同情况，能够按照操作者的意图以设定的膜厚分布进行蒸镀。
-
公开(公告)号：CN1333385A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01121971.8
申请日：2001-06-22
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/12 , C23C14/24
Abstract: 一真空蒸镀设备包括具有多个蒸发源和一加热器的一真空室,加热器加热诸蒸发源以实现在真空室内的至少一基片的一表面上的真空蒸镀。至少一蒸发源利用一有机材料,将包围诸蒸发源和诸蒸发源和基片在内相互面对的一空间的一热壁加热至该有机材料既不附着又不分解的一温度。通过加热诸蒸发源同时使诸蒸发源和基片彼此相对运动使该有机材料蒸镀在基片的表面上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.036 seconds)
