公开(公告)号：CN1302149C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02821221.5

申请日：2002-10-28

Applicant: 松下电工株式会社 ,  托竭株式会社

Inventor： 城户淳二 ,  西森泰铺 ,  岸泰生 ,  近藤行广 ,  中川照雄 ,  柳雄二 ,  松本荣一 ,  牧修治

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/044 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243

Abstract: 本发明公开的真空蒸镀装置是在真空室(1)内放置着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)，同时用被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体(4)包围着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)之间的空间，从蒸发源(2)气化的物质通过筒状体4内到达被蒸镀体(3)的表面，从而进行了蒸镀，在这样的真空蒸镀装置中，在筒状体中装有控制件(8)，控制引导上述气化物质在筒状体(4)内向着被蒸镀体(3)移动。由此，能够控制气化物质在被蒸镀体上附着的分布，能够以均匀的膜厚在被蒸镀体上进行蒸镀，同时根据不同情况，能够按照操作者的意图以设定的膜厚分布进行蒸镀。

公开(公告)号：CN1575349A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02821221.5

申请日：2002-10-28

Applicant: 松下电工株式会社 ,  托竭株式会社

Inventor： 城户淳二 ,  西森泰铺 ,  岸泰生 ,  近藤行广 ,  中川照雄 ,  柳雄二 ,  松本荣一 ,  牧修治

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/044 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243

Abstract: 本发明公开的真空蒸镀装置是在真空室(1)内放置着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)，同时用被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体(4)包围着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)之间的空间，从蒸发源(2)气化的物质通过筒状体4内到达被蒸镀体(3)的表面，从而进行了蒸镀，在这样的真空蒸镀装置中，在筒状体中装有控制件(8)，控制引导上述气化物质在筒状体(4)内向着被蒸镀体(3)移动。由此，能够控制气化物质在被蒸镀体上附着的分布，能够以均匀的膜厚在被蒸镀体上进行蒸镀，同时根据不同情况，能够按照操作者的意图以设定的膜厚分布进行蒸镀。