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公开(公告)号：CN101258616A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n－型氮化物半导体层(3)；在n－型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p－型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n－型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1723847A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510059057.X
申请日：2005-03-21
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 一种体力活动测量系统，其分析使用者的身体运动以准确地确定运动强度。该系统包括一便携装置，该装置适于使用者携带并且安装有一身体传感器和一用于指示运动强度的指示器。该身体传感器感应使用者的身体运动，以给出相应的运动力量。该便携装置具有一处理器，该处理器构造有一运动计算器，该运动计算器在运动强度的默认标准偏差和一运动强度范围之间具有一确定关系。该运动强度计算器在预设的第一时段内收集运动力量的时序数据，获得由此收集到的运动力量的第一标准偏差，并且依照该确定关系将标准偏差转化为强度范围内的一即时运动强度。关于该运动力量的标准偏差能够与运动强度完全吻合，并且因此，实时地给出准确的运动强度。
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公开(公告)号：CN1849673B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200480026387.2
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用电子处理和改善目标对象的装置和方法，通过该装置和方法，即使在具有相对宽的表面区域需要处理的时候，也能够在与大气压力基本相等的压力下使用电子均匀且有效地处理和改善目标对象。该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力的冷阴极电子发射器，并且优选包括一对电极以及一个包含布置于所述电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。通过在所述电极之间施加电压来使目标对象暴露于从该平面电子发射部分中所发射的电子中。优选的是，所发射出的电子的能量从1eV到50keV、优选1eV到100eV的范围中选择。
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公开(公告)号：CN101258616B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层(3)；在n-型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p-型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n-型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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公开(公告)号：CN100409809C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510059057.X
申请日：2005-03-21
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 一种体力活动测量系统，其分析使用者的身体运动以准确地确定运动强度。该系统包括一便携装置，该装置适于使用者携带并且安装有一身体传感器和一用于指示运动强度的指示器。该身体传感器感应使用者的身体运动，以给出相应的运动力量。该便携装置具有一处理器，该处理器构造有一运动计算器，该运动计算器在运动强度的默认标准偏差和一运动强度范围之间具有一确定关系。该运动强度计算器在预设的第一时段内收集运动力量的时序数据，获得由此收集到的运动力量的第一标准偏差，并且依照该确定关系将标准偏差转化为强度范围内的一即时运动强度。关于该运动力量的标准偏差能够与运动强度完全吻合，并且因此，实时地给出准确的运动强度。
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公开(公告)号：CN1849673A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026387.2
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用电子处理和改善目标对象的装置和方法，通过该装置和方法，即使在具有相对宽的表面区域需要处理的时候，也能够在与大气压力基本相等的压力下使用电子均匀且有效地处理和改善目标对象。该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力的冷阴极电子发射器，并且优选包括一对电极以及一个包含布置于所述电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。通过在所述电极之间施加电压来使目标对象暴露于从该平面电子发射部分中所发射的电子中。优选的是，所发射出的电子的能量从1eV到50keV、优选1eV到100eV的范围中选择。
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