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公开(公告)号：CN102067375A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123251.6
申请日：2009-06-22
CPC classification number: H01L51/4226 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0021 , H01L51/0086 , H01L51/442 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的色素增感太阳能电池，其特征在于，包括在一侧的表面具有担载有增感色素的半导体层的电极、与所述半导体层相对配置的对电极、以及配置于所述电极和所述对电极之间的电荷输送层，所述电极和所述对电极的至少一者为ITO膜和FTO膜层叠而成的透明导电膜，并且，FTO膜表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶。
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公开(公告)号：CN102067243B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980123521.3
申请日：2009-06-22
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1258 , C23C18/1291 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L51/0021 , H01L51/442 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的包含ITO膜和FTO膜的透明导电膜，FTO膜的表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的包含ITO膜和FTO膜的透明导电膜，FTO膜的膜厚度为5nm～20nm、且FTO膜为连续膜。另外，本发明提供上述透明导电膜的制备方法，其特征是通过高温溶胶法在基材上形成ITO膜后，在ITO膜上连续地形成FTO膜。
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公开(公告)号：CN101042950B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710087792.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01B13/00 , H01L21/288 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3 [1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2 [2] 其中，R3表示碳原子数为1-10的烷基，R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1627449A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310120293.9
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β－二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1－10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]其中，R3表示碳原子数为1－10的烷基，R4表示碳原子数为1－10的烷基或碳原子数为1－10的酰基。
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公开(公告)号：CN102067375B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN200980123251.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01L51/4226 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0021 , H01L51/0086 , H01L51/442 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的色素增感太阳能电池，其特征在于，包括在一侧的表面具有担载有增感色素的半导体层的电极、与所述半导体层相对配置的对电极、以及配置于所述电极和所述对电极之间的电荷输送层，所述电极和所述对电极的至少一者为ITO膜和FTO膜层叠而成的透明导电膜，并且，FTO膜表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶。
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公开(公告)号：CN102067243A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123521.3
申请日：2009-06-22
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1258 , C23C18/1291 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L51/0021 , H01L51/442 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的由ITO膜和FTO膜组成的透明导电膜，FTO膜的表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的由ITO膜和FTO膜组成的透明导电膜，FTO膜的膜厚度为5nm～20nm、且FTO膜为连续膜。另外，本发明提供上述透明导电膜的制备方法，其特征是通过高温溶胶法在基材上形成ITO膜后，在ITO膜上连续地形成FTO膜。
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公开(公告)号：CN101042950A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710087792.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01B13/00 , H01L21/288 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β－二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]，其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1－10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]，其中，R3表示碳原子数为1－10的烷基，R4表示碳原子数为1－10的烷基或碳原子数为1－10的酰基。
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公开(公告)号：CN100336136C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200310120293.9
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]其中，R3表示碳原子数为1-10的烷基，R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。
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