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公开(公告)号：CN1627449A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310120293.9
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β－二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1－10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]其中，R3表示碳原子数为1－10的烷基，R4表示碳原子数为1－10的烷基或碳原子数为1－10的酰基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101042950B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710087792.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01B13/00 , H01L21/288 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3 [1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2 [2] 其中，R3表示碳原子数为1-10的烷基，R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。
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公开(公告)号：CN1795516A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014274.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C18/1258 , G02F1/13439
Abstract: 本发明的目的是提供充分高透明的、带有透明导电膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚为12～2nm的连续的透明导电膜的带有透明导电膜的透光性基板，透明导电膜优选为柱状单晶的集合体，透明导电膜的最大表面粗糙度为1～20nm，透明导电膜的平均表面粗糙度为0.1～10nm的范围，透明导电膜是掺杂有锡的氧化铟薄膜，锡原子均匀地分布在掺杂有锡的氧化铟薄膜中，该基板对于波长400nm的光的穿透率为88％或更多，对于波长350nm的光的穿透率为85％或更多，对于全部光线的穿透率为90％或更多。
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公开(公告)号：CN1795516B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN200480014274.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C18/1258 , G02F1/13439
Abstract: 本发明的目的是提供充分高透明的、带有透明导电膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚为12～2nm的连续的透明导电膜的带有透明导电膜的透光性基板，透明导电膜优选为柱状单晶的集合体，透明导电膜的最大表面粗糙度为1～20nm，透明导电膜的平均表面粗糙度为0.1～10nm的范围，透明导电膜是掺杂有锡的氧化铟薄膜，锡原子均匀地分布在掺杂有锡的氧化铟薄膜中，该基板对于波长400nm的光的穿透率为88％或更多，对于波长350nm的光的穿透率为85％或更多，对于全部光线的穿透率为90％或更多。
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公开(公告)号：CN101042950A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710087792.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01B13/00 , H01L21/288 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β－二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]，其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1－10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]，其中，R3表示碳原子数为1－10的烷基，R4表示碳原子数为1－10的烷基或碳原子数为1－10的酰基。
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公开(公告)号：CN100336136C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200310120293.9
申请日：2003-12-12
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]其中，R3表示碳原子数为1-10的烷基，R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。
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