公开(公告)号：CN1627449A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200310120293.9

申请日：2003-12-12

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 瀬田康弘 ,  权平英昭 ,  大芦竜也 ,  山田茂男 ,  神田广行

IPC: H01B1/12 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β－二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1－10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]其中，R3表示碳原子数为1－10的烷基，R4表示碳原子数为1－10的烷基或碳原子数为1－10的酰基。

公开(公告)号：CN103733273B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280038516.4

申请日：2012-08-08

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 荒井香太郎 ,  瀬田康弘 ,  小川一幸

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  C01B13/14 ,  C01B13/34 ,  C23C18/12 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种叠层体及其制造方法，该叠层体具有：基板，其表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；和导电膜，其以大致均匀的厚度叠层于上述凹凸的底、侧壁面和顶上，导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。

公开(公告)号：CN101042950A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710087792.0

申请日：2003-12-12

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 瀬田康弘 ,  权平英昭 ,  大芦竜也 ,  山田茂男 ,  神田广行

IPC: H01B13/00 ,  H01L21/288 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β－二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]，其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1－10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]，其中，R3表示碳原子数为1－10的烷基，R4表示碳原子数为1－10的烷基或碳原子数为1－10的酰基。

公开(公告)号：CN100336136C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200310120293.9

申请日：2003-12-12

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 瀬田康弘 ,  权平英昭 ,  大芦竜也 ,  山田茂男 ,  神田广行

IPC: H01B1/12 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3[1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2[2]其中，R3表示碳原子数为1-10的烷基，R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。

公开(公告)号：CN103733273A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038516.4

申请日：2012-08-08

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 荒井香太郎 ,  瀬田康弘 ,  小川一幸

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  C01B13/14 ,  C01B13/34 ,  C23C18/12 ,  H01B13/00

CPC classification number: H05K1/092 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1229 ,  C23C18/1258 ,  C23C18/1291

Abstract: 本发明公开了一种叠层体及其制造方法，该叠层体具有：基板，其表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；和导电膜，其以大致均匀的厚度叠层于上述凹凸的底、侧壁面和顶上，导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。

公开(公告)号：CN101042950B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200710087792.0

申请日：2003-12-12

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 瀬田康弘 ,  权平英昭 ,  大芦竜也 ,  山田茂男 ,  神田广行

IPC: H01B13/00 ,  H01L21/288 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法，所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地，提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法，所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物，根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物：In(R1COCHCOR2)3 [1]其中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基；(R3)2Sn(OR4)2 [2] 其中，R3表示碳原子数为1-10的烷基，R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。