等离子体处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101632327A

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200880005558.1

    申请日:2008-02-13

    Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置(A),其通过放电使等离子体生成用气体(G)激活,并将该被激活的等离子体生成用气体(G)喷射在待处理物(H)上进行处理。在由陶瓷烧结体构成的绝缘基板(1)上埋设导电层(2)而形成覆盖电极(3)。将多个覆盖电极(3、3…)相对置地配置,使覆盖电极(3、3)之间形成放电空间(4)。具有电源(5),其用于对导电层(2)外加电压,使在放电空间(4)产生放电。因为不进行陶瓷材料的热喷涂,因此可以实现覆盖电极(3)的材料的低成本或制造工艺的简化。与陶瓷热喷涂的覆膜相比,陶瓷烧结体的空隙率小且致密,因此在放电时不容易发生绝缘破坏。

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