公开(公告)号：CN102754187A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080008734.4

申请日：2010-05-10

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 加藤智也 ,  尾田智彦 ,  大高盛

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，对非结晶性半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光，使得非结晶性半导体膜的温度成为600℃～1100℃的范围；第2工序，使该非结晶性半导体膜对应于所述600℃～1100℃的温度范围结晶化；以及第3工序，利用通过照射连续振荡型激光而使非结晶性半导体膜结晶化时产生的潜热，使非结晶性半导体膜的面内的预定的温度成为1100℃～1414℃，与1100℃～1414℃的温度范围对应，使结晶化了的非结晶性半导体膜的结晶粒径扩大，所述向上凸的连续的光强度分布具有在所述长轴方向上为预定的强度以上的区域范围，所述区域范围与利用潜热而成为1100℃～1414℃的温度范围的非结晶性半导体膜上的区域对应。由此制造具有面内均匀性良好的结晶组织的结晶性半导体膜。

公开(公告)号：CN102379027A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080011595.0

申请日：2010-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾田智彦 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种硅薄膜的结晶化方法以及硅薄膜晶体管器件的制造方法。硅薄膜的结晶化方法包括：第二工序，在基板(1)上层叠具有第一反射率的第一栅电极(2)；第三工序，使第一栅电极(2)的上面周边部露出而在第一栅电极(2)上层叠第二栅电极(3)，所述第二栅电极(3)具有比第一反射率小的第二反射率，并且其上面面积比第一栅电极(2)的上面面积小；第四工序，覆盖没有形成第一栅电极(2)的基板(1)上的周边区域、从第二栅电极(3)露出的第一栅电极(2)上的第一区域、以及第二栅电极(3)的上面的第二区域，层叠栅极绝缘膜(4)；第五工序，在层叠的栅极绝缘膜(4)上层叠非晶硅薄膜(5a)；以及第六工序，通过从非晶硅薄膜(5a)的上方照射激光，使非晶硅薄膜(5a)结晶化。由此，能够使硅薄膜的晶粒的尺寸均匀。

公开(公告)号：CN103003928A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180004127.5

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾田智彦 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置，包括：准备基板(10)的工序；形成栅电极(11)的工序；形成栅极绝缘膜(12)的工序；形成源电极(19)和漏电极(20)的工序；形成硅薄膜(13)的工序；以及一边使激光对硅薄膜进行相对扫描，一边将激光照射到硅薄膜，使硅薄膜结晶化而形成结晶硅薄膜(15)的工序。激光为连续振荡型的激光，激光的强度分布在第一区域(R1)中为相对扫描方向的前方侧与后方侧对称的强度分布，在第二区域(R2)中为相对扫描方向的前方侧与后方侧非对称的强度分布。并且，在第二区域(R2)中，相对扫描方向的后方侧的激光强度分布的积分强度值(S2)大于相对扫描方向的前方侧的激光强度分布的积分强度值(S1)。