公开(公告)号：CN102379041A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080002966.9

申请日：2010-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  加藤智也

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 薄膜晶体管阵列器件(100)具备：驱动用TFT(10a)，其具有由第一平均结晶粒径的晶粒构成的第一结晶性半导体膜(5a)；和开关用TFT(10b)，其具有由平均结晶粒径比第一平均结晶粒径小的第二平均结晶粒径的晶粒构成的第二结晶性半导体膜(5b)。对于第一结晶性半导体膜(5a)和第二结晶性半导体膜(5b)，通过使用具有高斯分布的光强度分布的激光以使非结晶性半导体膜的温度变成600℃～1100℃的范围的方式对非结晶性半导体膜进行激光照射来形成，第一结晶性半导体膜(5a)以通过激光照射所产生的潜热而变为1100℃～1414℃的温度范围的方式来形成。第二结晶性半导体膜(5b)与形成第一结晶性半导体膜(5a)同时地形成。

公开(公告)号：CN102754187A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080008734.4

申请日：2010-05-10

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 加藤智也 ,  尾田智彦 ,  大高盛

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，对非结晶性半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光，使得非结晶性半导体膜的温度成为600℃～1100℃的范围；第2工序，使该非结晶性半导体膜对应于所述600℃～1100℃的温度范围结晶化；以及第3工序，利用通过照射连续振荡型激光而使非结晶性半导体膜结晶化时产生的潜热，使非结晶性半导体膜的面内的预定的温度成为1100℃～1414℃，与1100℃～1414℃的温度范围对应，使结晶化了的非结晶性半导体膜的结晶粒径扩大，所述向上凸的连续的光强度分布具有在所述长轴方向上为预定的强度以上的区域范围，所述区域范围与利用潜热而成为1100℃～1414℃的温度范围的非结晶性半导体膜上的区域对应。由此制造具有面内均匀性良好的结晶组织的结晶性半导体膜。