公开(公告)号：CN101165918A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710111847.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田村畅征 ,  铃木健 ,  大谷一弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明涉及一种防止MIS晶体管驱动能力下降的在栅极电极上设置了应力绝缘膜的半导体装置及其制造方法。在具有形成在半导体衬底(100)的第一活性区域(100b)上的第一MIS晶体管的半导体装置中，第一MIS晶体管包括：形成在上述第一活性区域上的第一栅极绝缘膜(103b)、形成在上述第一栅极绝缘膜上的第一栅极电极(104b)、形成在上述第一栅极电极的上表面及栅极长度方向的侧面上并沿栅极长度方向对第一MIS晶体管的沟道施加第一应力的第一应力绝缘膜(111b)、形成在上述第一栅极电极的栅极宽度方向的侧面上的第一基层绝缘膜(112)；在上述第一栅极电极的栅极宽度方向的侧面上没有形成上述第一应力绝缘膜。

公开(公告)号：CN101165918B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200710111847.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田村畅征 ,  铃木健 ,  大谷一弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明涉及一种防止MIS晶体管驱动能力下降的在栅极电极上设置了应力绝缘膜的半导体装置及其制造方法。在具有形成在半导体衬底(100)的第一活性区域(100b)上的第一MIS晶体管的半导体装置中，第一MIS晶体管包括：形成在上述第一活性区域上的第一栅极绝缘膜(103b)、形成在上述第一栅极绝缘膜上的第一栅极电极(104b)、形成在上述第一栅极电极的上表面及栅极长度方向的侧面上并沿栅极长度方向对第一MIS晶体管的沟道施加第一应力的第一应力绝缘膜(111b)、形成在上述第一栅极电极的栅极宽度方向的侧面上的第一基层绝缘膜(112)；在上述第一栅极电极的栅极宽度方向的侧面上没有形成上述第一应力绝缘膜。