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公开(公告)号：CN101611337B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880003224.0
申请日：2008-01-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 易于制造出在移动单元中具有绝缘结构的半导体结构。通过处理由第一硅层100a、氧化物膜120以及第二硅层100b所组成的SOI衬底，从而形成光扫描镜(半导体结构)1。移动单元50，其通过第一铰链5支撑于固定框架4上，形成在第一硅层100a上。通过形成沟槽(绝缘结构)101a将所述移动单元50划分成多个区域。由氧化物膜120和第二硅层100b形成的支撑部件9刚好形成在所述沟槽101a之下。由所述沟槽101a划分的可移动框架3的多个区域接合到所述支撑部件9，从而使得移动单元50与支撑部件9一起是可摆动的。从而，通过简单的蚀刻步骤形成支撑部件9，如此，确保移动单元50的机械强度。
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