气体放电显示面板
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100583360C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200580018795.8

    申请日:2005-04-07

    Abstract: 本发明的第一目的是提供一种气体放电显示面板,其成本较低且能维持壁电荷的保持力,同时能将放电滞后控制在对图像显示最合适的区域内,进而,通过降低放电开始电压,可以发挥良好的显示性能。此外,本发明的第二目的是提供一种PDP和气体放电显示面板的制造方法,其中,PDP使2次电子发射系数γ比以往进一步提高,降低了放电开始电压以扩大驱动容限,从而提高显示质量和可靠性;气体放电显示面板的制造方法缩短密封排气工序时的排气时间以降低制造成本,并且降低驱动电路的成本。因此,在本发明中,通过以MgO为主要成分,进而,包含添加量范围为20质量ppm以上且5000质量ppm以下的Si和添加量范围为300质量ppm以上且10000质量ppm以下的H来构成保护层。

    等离子显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101479827A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200780024316.2

    申请日:2007-04-27

    CPC classification number: H01J11/40 H01J9/02 H01J11/12 H01J11/38

    Abstract: 本发明提供一种PDP,在低电压驱动PDP的同时,在保护层发挥电荷保持特性,可实现良好的图像显示性。另外,除上述效果外,通过防止放电延迟的发生,在高精细的PDP中也能够良好地进行高速驱动,从而实现高品质的图像显示。作为所采用的手段,在电介质层(7)的放电空间侧的面上,配置了在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成的膜厚约1微米的表面层(8),并在该表面层(8)的表面上分散配置MgO微粒子(16)。利用表面层(8),保护电介质层(7)不受放电时的离子冲击,并在降低放电开始电压的同时,发挥改善电荷损失的效果。另外,利用MgO微粒子(16),发挥较高的初始电子释放特性。

    等离子显示面板的制造方法

    公开(公告)号:CN102834893A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201180015696.X

    申请日:2011-03-16

    CPC classification number: H01J11/40 H01J9/02 H01J11/12

    Abstract: 本发明提供一种等离子显示面板的制造方法。包括含有金属氧化物的衬底层和、分散配置在衬底层上的凝集粒子的等离子显示面板的制造方法包括以下工艺。在电介质层上形成衬底层。接着,在衬底层上涂布第1有机溶剂,从而形成第1涂布层。接着,在第1涂布层上涂布分散有凝集粒子的第2有机溶剂,从而形成第2涂布层。接着,加热第1涂布层及第2涂布层,从而使第1有机溶剂及第2有机溶剂蒸发,且在衬底层上分散配置凝集粒子。

    等离子体显示面板
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101981649A

    公开(公告)日:2011-02-23

    申请号:CN200980110858.0

    申请日:2009-12-10

    CPC classification number: H01J11/12 H01J11/40

    Abstract: 本发明提供一种具备高清晰、高亮度的显示性能,并且低耗电量的等离子体显示面板。为此,PDP具有:前面板(2),其以覆盖前面玻璃基板(3)上形成的显示电极(6)的方式形成电介质层(8),并且在电介质层(8)上形成保护层(9);背面板,以形成填充了放电气体的放电空间的方式与前面板(2)对向配置,且沿与显示电极(6)交叉的方向形成地址电极,并且设有区分放电空间的隔壁。此外,保护层(9)由氧化镁和氧化钙组成的金属氧化物形成,并且含有硅。另外,在保护层(9)面的X射线衍射分析中,金属氧化物的峰值发生的衍射角存在于氧化镁的峰值发生的衍射角和氧化钙的峰值发生的衍射角之间。

    等离子显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101479827B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN200780024316.2

    申请日:2007-04-27

    CPC classification number: H01J11/40 H01J9/02 H01J11/12 H01J11/38

    Abstract: 本发明提供一种PDP,在低电压驱动PDP的同时,在保护层发挥电荷保持特性,可实现良好的图像显示性。另外,除上述效果外,通过防止放电延迟的发生,在高精细的PDP中也能够良好地进行高速驱动,从而实现高品质的图像显示。作为所采用的手段,在电介质层(7)的放电空间侧的面上,配置了在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成的膜厚约1微米的表面层(8),并在该表面层(8)的表面上分散配置MgO微粒子(16)。利用表面层(8),保护电介质层(7)不受放电时的离子冲击,并在降低放电开始电压的同时,发挥改善电荷损失的效果。另外,利用MgO微粒子(16),发挥较高的初始电子释放特性。

    等离子显示面板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102084452A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200980100469.X

    申请日:2009-09-28

    CPC classification number: H01J11/40 H01J11/12

    Abstract: 本发明用于实现高精细并具有高亮度的显示性能,且消耗电力低的等离子显示面板。为此,在前面板上形成有显示电极、电介质层和保护层。显示电极形成在前面玻璃基板上。电介质层形成为覆盖显示电极。保护层形成在电介质层上。在背面板上,沿着与显示电极交叉的方向形成有地址电极和划分放电空间的隔壁。前面板和背面板被对置配置成形成放电空间,其中填充有放电气体。保护层具有形成在电介质层上的基底膜。在该基底膜附着有凝集氧化镁结晶粒子而成的凝集粒子。而且,该基底膜含有从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡中选择的至少两种以上的氧化物构成的金属氧化物。金属氧化物在基底膜面的X线衍射分析中,在由构成特定面方位的金属氧化物的氧化物单体所产生的最小衍射角与最大衍射角之间存在峰值。

    气体放电显示面板
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1965384A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200580018795.8

    申请日:2005-04-07

    Abstract: 本发明的第一目的是提供一种气体放电显示面板,其成本较低且能维持壁电荷的保持力,同时能将放电滞后控制在对图像显示最合适的区域内,进而,通过降低放电开始电压,可以发挥良好的显示性能。此外,本发明的第二目的是提供一种PDP和气体放电显示面板的制造方法,其中,PDP使2次电子发射系数γ比以往进一步提高,降低了放电开始电压以扩大驱动容限,从而提高显示质量和可靠性;气体放电显示面板的制造方法缩短密封排气工序时的排气时间以降低制造成本,并且降低驱动电路的成本。因此,在本发明中,通过以MgO为主要成分,进而,包含添加量范围为20质量ppm以上且5000质量ppm以下的Si和添加量范围为300质量ppm以上且10000质量ppm以下的H来构成保护层。

    等离子显示面板的制造方法

    公开(公告)号:CN102822936A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201180016153.X

    申请日:2011-03-16

    CPC classification number: H01J11/12 H01J11/40

    Abstract: 本发明提供一种包括有包含金属氧化物的基底层和分散配置在基底层上的凝集粒子的等离子显示面板的制造方法,该方法包含以下的工艺。在电介质层上形成基底层。接着,通过在基底层上涂敷使凝集粒子分散了的有机溶剂,从而形成涂敷层。接着,通过对涂敷层进行减压干燥,从而至少在基底层上形成有机溶剂的覆膜。接下来,将已经形成覆膜的前面板与背面板对置配置。接着,通过加热被对置配置的前面板与背面板而使覆膜蒸发,且将凝集粒子分散配置在基底层上,进而从放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。接着,对覆膜已被蒸发的前面板和背面板进行密封。

    等离子显示面板
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101965622A

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN200980108299.X

    申请日:2009-12-14

    CPC classification number: H01J11/40 H01J11/12

    Abstract: 一种等离子显示面板,具有:按照覆盖形成在前面玻璃基板(3)上的显示电极(6)的方式形成电介体层(8),并且在电介体层(8)上形成了保护层(9)的前面板;和按照形成填充放电气体的放电空间的方式与前面板对置配置,且沿与显示电极(6)交叉的方向形成地址电极,并设置有对放电空间进行划分的隔壁的背面板,其中,保护层(9)通过由氧化镁和氧化钙构成的金属氧化物形成,并含有铝,在对保护层(9)的面的X射线衍射分析中,发生金属氧化物的峰值的衍射角存在于发生氧化镁的峰值的衍射角与发生氧化钙的峰值的衍射角之间。

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