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公开(公告)号:CN101483127A
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200810170936.3
申请日:2003-11-12
申请人: 松下电器产业株式会社
摘要: 本发明是一种等离子体显示面板,形成了保护层(15)的第1衬底(11)经放电空间和第2衬底相对配置,且上述两衬底周围被密封;在保护层(15)的表面,电子发射特性互不相同的第1材料和第2材料分别暴露于上述放电空间,而且,第1材料和第2材料中的至少一方是分散存在的。这里,上述第1材料是第1结晶体(15A),上述第2材料是第2结晶体(15B),在上述保护层的表面,第2结晶体分散在第1结晶体中。
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公开(公告)号:CN1622380A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN200410097336.0
申请日:2004-11-29
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01M10/00
CPC分类号: H01M4/04 , C23C14/0068 , C23C14/0078 , C23C14/0084 , C23C14/042 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/226 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C16/4585 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/667 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y10T29/49115
摘要: 直接或通过一个底层在一个集流片层上提供的一种负极活性材料薄膜具有多层结构,所述多层结构包括至少两层含有硅作为主要成分的硅薄膜。由此,即使所述负极活性材料薄膜的厚度增加,也可以通过增加硅薄膜的数目而防止一层硅薄膜厚度的增加。因此,在所述硅薄膜中,基本上为倒截锥状的硅颗粒的直径不会增大。因此,在具有主要含有硅来作为负极活性材料的薄膜的能量装置中,即使增加所述负极活性材料层的厚度以获得大的容量,循环特性也不会退化。
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公开(公告)号:CN101414531A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200810170921.7
申请日:2003-11-12
申请人: 松下电器产业株式会社
摘要: 本发明是一种等离子体显示面板,形成了保护层(15)的第1衬底(11)经放电空间和第2衬底相对配置,且上述两衬底周围被密封;在保护层(15)的表面,电子发射特性互不相同的第1材料和第2材料分别暴露于上述放电空间,而且,第1材料和第2材料中的至少一方是分散存在的。这里,上述第1材料是第1结晶体(15A),上述第2材料是第2结晶体(15B),在上述保护层的表面,第2结晶体分散在第1结晶体中。
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公开(公告)号:CN100454650C
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200410097336.0
申请日:2004-11-29
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01M10/00
CPC分类号: H01M4/04 , C23C14/0068 , C23C14/0078 , C23C14/0084 , C23C14/042 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/226 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C16/4585 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/667 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y10T29/49115
摘要: 直接或通过一个底层在一个集电体层上提供的一种负极活性材料薄膜具有多层结构,所述多层结构包括至少两层含有硅作为主要成分的硅薄膜。由此,即使所述负极活性材料薄膜的厚度增加,也可以通过增加硅薄膜的数目而防止一层硅薄膜厚度的增加。因此,在所述硅薄膜中,基本上为倒截锥状的硅颗粒的直径不会增大。因此,在具有主要含有硅来作为负极活性材料的薄膜的能量装置中,即使增加所述负极活性材料层的厚度以获得大的容量,循环特性也不会退化。
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公开(公告)号:CN1742353A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200380109088.0
申请日:2003-11-12
申请人: 松下电器产业株式会社
摘要: 本发明是一种等离子体显示面板,形成了保护层(15)的第1衬底(11)经放电空间和第2衬底相对配置,且上述两衬底周围被密封;在保护层(15)的表面,电子发射特性互不相同的第1材料和第2材料分别暴露于上述放电空间,而且,第1材料和第2材料中的至少一方是分散存在的。这里,上述第1材料是第1结晶体(15A),上述第2材料是第2结晶体(15B),在上述保护层的表面,第2结晶体分散在第1结晶体中。
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