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公开(公告)号:CN1738026A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200510092628.X
申请日:2005-08-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L27/02 , H01L27/108
Abstract: 一种电介质存储器,包括:第1下部电极(12)、具有到达第2下部电极(14b)的上面的开口部(13h)的第1绝缘膜(13)、在开口部(13h)的壁部形成的第2下部电极(14b)、在第1下部电极(12)之上及第2下部电极(14b)之上不埋入孔地形成的电容绝缘膜(15)、以及在电容绝缘膜(15)之上形的上部电极(16)。对于开口部(13h)的壁部而言,第2下部电极(14)的壁厚,其下方比开口部的壁部的上方厚。从而提供包括阶差被覆性优异的电容绝缘膜,而且具有能够实现细小化的结构的介质存储器。