-
公开(公告)号：CN101816070A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200980100361.0
申请日：2009-05-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明一种电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法。该存储元件(3)包括：电阻变化元件(1)，其呈矩阵状地配置在存储装置上，其电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，并且该电阻变化元件(1)维持该变化后的电阻值；和电流抑制元件(2)，其在电脉冲被施加至电阻变化元件(1)时，抑制流动的电流，电流抑制元件(2)包括第一电极、第二电极、以及配置在第一电极和第二电极之间的电流抑制层。电流抑制层由SiNx构成，第一电极和第二电极中的至少一方由α-钨构成。
-
公开(公告)号：CN102484113B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201080037465.4
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/101 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种不受基底的影响而稳定进行电阻变化、适合于大容量化的电阻变化型的半导体存储装置及其制造方法。本发明的半导体存储装置具备：在贯通第一层间绝缘层(102)而形成的第一接触孔(103)的内部形成的第一接触插塞(104)；与第一层间绝缘层(102)上的膜厚相比第一接触插塞(104)上的膜厚更厚且上表面平坦的下部电极(105)；电阻变化层(106)；以及上部电极(107)。下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成电阻变化元件。
-
公开(公告)号：CN102077347A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001928.1
申请日：2010-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2418 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 存储单元阵列的制造方法，在所述存储单元阵列中，多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)相互立体交叉地被延设在半导体衬底(1)上，在多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)的各个立体交叉部配置有电流控制元件(10)和电阻变化元件(23)电连接且串联连接而构成的存储单元，所述制造方法包括：形成第一层间绝缘膜(3)的工序；在第一层间绝缘膜(3)形成接触孔的工序；在所述接触孔内以及第一层间绝缘膜(3)上推及第一柱塞材料(4)的工序；第一抛光工序，对第一柱塞材料(4)进行抛光直到第一层间绝缘膜(3)露出为止；在第一抛光工序之后，将成为电流控制元件(10)的第一电极(6)的导电体膜(6a)堆积在第一柱塞材料(4)以及第一层间绝缘膜(3)上的工序；以及第二抛光工序，对导电体膜(6a)的表面进行抛光。
-
公开(公告)号：CN102077347B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201080001928.1
申请日：2010-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2418 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 存储单元阵列的制造方法，在所述存储单元阵列中，多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)相互立体交叉地被延设在半导体衬底(1)上，在多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)的各个立体交叉部配置有电流控制元件(10)和电阻变化元件(23)电连接且串联连接而构成的存储单元，所述制造方法包括：形成第一层间绝缘膜(3)的工序；在第一层间绝缘膜(3)形成接触孔的工序；在所述接触孔内以及第一层间绝缘膜(3)上推及第一柱塞材料(4)的工序；第一抛光工序，对第一柱塞材料(4)进行抛光直到第一层间绝缘膜(3)露出为止；在第一抛光工序之后，将成为电流控制元件(10)的第一电极(6)的导电体膜(6a)堆积在第一柱塞材料(4)以及第一层间绝缘膜(3)上的工序；以及第二抛光工序，对导电体膜(6a)的表面进行抛光。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102292288A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201180000827.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , B01J23/745 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01G9/058 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , H01M10/0585 , H01M10/0587
CPC classification number: H01M4/133 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , Y10T428/23993
Abstract: 本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管，所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板，该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
-
公开(公告)号：CN101755338A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025026.4
申请日：2008-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。
-
公开(公告)号：CN102292288B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180000827.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01G11/36
CPC classification number: H01M4/133 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , Y10T428/23993
Abstract: 本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管，所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板，该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
-
公开(公告)号：CN101755338B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880025026.4
申请日：2008-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。
-
公开(公告)号：CN102484113A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037465.4
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/101 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种不受基底的影响而稳定进行电阻变化、适合于大容量化的电阻变化型的半导体存储装置及其制造方法。本发明的半导体存储装置具备：在贯通第一层间绝缘层(102)而形成的第一接触孔(103)的内部形成的第一接触插塞(104)；与第一层间绝缘层(102)上的膜厚相比第一接触插塞(104)上的膜厚更厚且上表面平坦的下部电极(105)；电阻变化层(106)；以及上部电极(107)。下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成电阻变化元件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.041 seconds)
