存储单元阵列的制造方法，在所述存储单元阵列中，多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)相互立体交叉地被延设在半导体衬底(1)上，在多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)的各个立体交叉部配置有电流控制元件(10)和电阻变化元件(23)电连接且串联连接而构成的存储单元，所述制造方法包括：形成第一层间绝缘膜(3)的工序；在第一层间绝缘膜(3)形成接触孔的工序；在所述接触孔内以及第一层间绝缘膜(3)上推及第一柱塞材料(4)的工序；第一抛光工序，对第一柱塞材料(4)进行抛光直到第一层间绝缘膜(3)露出为止；在第一抛光工序之后，将成为电流控制元件(10)的第一电极(6)的导电体膜(6a)堆积在第一柱塞材料(4)以及第一层间绝缘膜(3)上的工序；以及第二抛光工序，对导电体膜(6a)的表面进行抛光。